电子元件与材料
電子元件與材料
전자원건여재료
ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS
2003年
7期
6-10
,共5页
溅射偏压%ITO薄膜%光电特性%共振吸收
濺射偏壓%ITO薄膜%光電特性%共振吸收
천사편압%ITO박막%광전특성%공진흡수
用磁控溅射工艺,在柔性衬底上,在不同直流偏压条件下,制备了ITO(氧化铟锡)透明导电膜.最佳直流负偏压为40 V,此时制备的薄膜,其自由载流子霍耳迁移率有最大值为89.3 cm2/(V·s),薄膜的电阻率有最小值为6.3×10-4Ω·cm,在可见光范围内相对透过率为80%左右.X射线衍射谱表明:薄膜为多晶纤锌矿结构,垂直于衬底的c轴具有(222)方向的择优取向,最大晶粒尺寸为55 nm.并重点讨论了薄膜的结构、电学和光学特性与衬底负偏压的关系.
用磁控濺射工藝,在柔性襯底上,在不同直流偏壓條件下,製備瞭ITO(氧化銦錫)透明導電膜.最佳直流負偏壓為40 V,此時製備的薄膜,其自由載流子霍耳遷移率有最大值為89.3 cm2/(V·s),薄膜的電阻率有最小值為6.3×10-4Ω·cm,在可見光範圍內相對透過率為80%左右.X射線衍射譜錶明:薄膜為多晶纖鋅礦結構,垂直于襯底的c軸具有(222)方嚮的擇優取嚮,最大晶粒呎吋為55 nm.併重點討論瞭薄膜的結構、電學和光學特性與襯底負偏壓的關繫.
용자공천사공예,재유성츤저상,재불동직류편압조건하,제비료ITO(양화인석)투명도전막.최가직류부편압위40 V,차시제비적박막,기자유재류자곽이천이솔유최대치위89.3 cm2/(V·s),박막적전조솔유최소치위6.3×10-4Ω·cm,재가견광범위내상대투과솔위80%좌우.X사선연사보표명:박막위다정섬자광결구,수직우츤저적c축구유(222)방향적택우취향,최대정립척촌위55 nm.병중점토론료박막적결구、전학화광학특성여츤저부편압적관계.
