半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2003年
6期
598-601
,共4页
余学功%杨德仁%马向阳%杨建松%阙端麟
餘學功%楊德仁%馬嚮暘%楊建鬆%闕耑麟
여학공%양덕인%마향양%양건송%궐단린
重掺直拉硅%氧沉淀%内吸杂
重摻直拉硅%氧沉澱%內吸雜
중참직랍규%양침정%내흡잡
研究了重掺硼(HB)、重掺砷(HAs)以及重掺锑(HSb)直拉(CZ)硅片对重金属Cr的内吸杂能力.将不同程度(～1012cm-2,～1014cm-2)沾污Cr的硅片在N2下进行常规的高-低-高三步退火,并由全反射X射线荧光光谱(TRXF)测量退火前后样品表面Cr的含量.结果表明在三种重掺硅中,HB硅片的内吸杂能力最强,HAs硅片次之,HSb硅片最低.
研究瞭重摻硼(HB)、重摻砷(HAs)以及重摻銻(HSb)直拉(CZ)硅片對重金屬Cr的內吸雜能力.將不同程度(～1012cm-2,～1014cm-2)霑汙Cr的硅片在N2下進行常規的高-低-高三步退火,併由全反射X射線熒光光譜(TRXF)測量退火前後樣品錶麵Cr的含量.結果錶明在三種重摻硅中,HB硅片的內吸雜能力最彊,HAs硅片次之,HSb硅片最低.
연구료중참붕(HB)、중참신(HAs)이급중참제(HSb)직랍(CZ)규편대중금속Cr적내흡잡능력.장불동정도(～1012cm-2,～1014cm-2)첨오Cr적규편재N2하진행상규적고-저-고삼보퇴화,병유전반사X사선형광광보(TRXF)측량퇴화전후양품표면Cr적함량.결과표명재삼충중참규중,HB규편적내흡잡능력최강,HAs규편차지,HSb규편최저.
