Pt/n-GaN肖特基接触的退火行为
Pt/n-GaN초특기접촉적퇴화행위
Thermal Annealing Behavior of Pt/n-GaN Schottky Contacts
  • 万方数据
    半导体学报 반도체학보
    CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
    2003年 3期 279-283 ,共5页

    张泽洪%孙元平%赵德刚%段俐宏%王俊%沈晓明%冯淦%冯志宏%杨辉

    장택홍%손원평%조덕강%단리굉%왕준%침효명%풍감%풍지굉%양휘

    GaN%Pt%肖特基接触%退火 GaN%Pt%肖特基接觸%退火
    GaN%Pt%초특기접촉%퇴화
    在金属有机物气相外延(MOVPE)方法生长的非故意掺杂的n-GaN上用Pt制成了肖特基接触,并在250～650℃范围内对该接触进行退火.通过实验发现,Pt与非故意掺杂n-GaN外延薄膜可以形成较好的肖特基接触,而适当的退火温度可以有效地改善Pt/n-GaN肖特基接触的性质.在该实验条件下,400℃温度下退火后的Pt/n-GaN肖特基接触,势垒高度最大,理想因子最小.在600℃以上温度退火后,该接触特性受到破坏,SEM显示在该温度下,Pt已经在GaN表面凝聚成球,表面形成孔洞.
    재금속유궤물기상외연(MOVPE)방법생장적비고의참잡적n-GaN상용Pt제성료초특기접촉,병재250～650℃범위내대해접촉진행퇴화.통과실험발현,Pt여비고의참잡n-GaN외연박막가이형성교호적초특기접촉,이괄당적퇴화온도가이유효지개선Pt/n-GaN초특기접촉적성질.재해실험조건하,400℃온도하퇴화후적Pt/n-GaN초특기접촉,세루고도최대,이상인자최소.재600℃이상온도퇴화후,해접촉특성수도파배,SEM현시재해온도하,Pt이경재GaN표면응취성구,표면형성공동.
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