CAJ | 학술논문

万方数据

固体电子学研究与进展 고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2001年 3期 271-275 ,共5页

岑元飞%陈效建%王军贤%高建峰%林金庭

잠원비%진효건%왕군현%고건봉%림금정

赝配高电子迁移率晶体管%低噪声%放大器%模型%单片集成电路贗配高電子遷移率晶體管%低譟聲%放大器%模型%單片集成電路
안배고전자천이솔정체관%저조성%방대기%모형%단편집성전로

采用PHEMT结构实现小电流、驻波性能优异的单片S波段低噪声放大器。利用HP　IC-CAP软件系统提取PHEMT管芯的EEHEMT1模型参数，并结合HP-EEsof　Series　IV软件的优化设计，及Cadence　Layout版图设计，最终在76　mm的MBE圆片上实现了单片电路。该单片在无任何调配的情况下，成功地应用于单片接收机前端中。
채용PHEMT결구실현소전류、주파성능우이적단편S파단저조성방대기。이용HP　IC-CAP연건계통제취PHEMT관심적EEHEMT1모형삼수，병결합HP-EEsof　Series　IV연건적우화설계，급Cadence　Layout판도설계，최종재76　mm적MBE원편상실현료단편전로。해단편재무임하조배적정황하，성공지응용우단편접수궤전단중。