分步偏压溅射法制备碳化硅薄膜
분보편압천사법제비탄화규박막
  • 万方数据
    材料科学与工程 재료과학여공정
    MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING
    2000年 z2期 612-614 ,共3页

    严辉%谭利文%宋雪梅%王波%陈光华%姚振宇%刘立明%程业浩

    엄휘%담리문%송설매%왕파%진광화%요진우%류립명%정업호

    分步偏压%SiC%溅射氚渗透率 分步偏壓%SiC%濺射氚滲透率
    분보편압%SiC%천사천삼투솔
    采用分步偏压射频溅射法,通过调整衬底负偏压,在不加热的条件下成功的制备出具有一定结晶取向的sic薄膜,傅立叶红外谱的分析表明,随着衬底偏压的增大,吸收峰位于800cm-1附近Si-C键的数量增大.表明高能氩离子的轰击有利于立方相SiC(β-SiC)的形成.从傅立叶红外光谱SiC特征吸收峰的FWHM表明,采用分步偏压法制备的SiC薄膜,比采用一步偏压法制备的薄膜的质量好.从SEM测试结果表明,SiC薄膜均匀致密,表面比较光滑.同时,在不锈钢衬底上沉积了SiC薄膜,对其防氚性能的测试结果表明氚的渗透率显著下降.
    채용분보편압사빈천사법,통과조정츤저부편압,재불가열적조건하성공적제비출구유일정결정취향적sic박막,부립협홍외보적분석표명,수착츤저편압적증대,흡수봉위우800cm-1부근Si-C건적수량증대.표명고능아리자적굉격유리우립방상SiC(β-SiC)적형성.종부립협홍외광보SiC특정흡수봉적FWHM표명,채용분보편압법제비적SiC박막,비채용일보편압법제비적박막적질량호.종SEM측시결과표명,SiC박막균균치밀,표면비교광활.동시,재불수강츤저상침적료SiC박막,대기방천성능적측시결과표명천적삼투솔현저하강.
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