GaAsHBT直接耦合微波单片集成电路
GaAsHBT직접우합미파단편집성전로
Design and performance of GaAs HBTs monolithic microwave amplifier
  • 万方数据
    功能材料与器件学报 공능재료여기건학보
    JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS AND DEVICES
    2000年 3期 201-204 ,共4页

    曾庆明%徐晓春%刘伟吉%李献杰%敖金平%王全树%郭建魁%赵永林%揭俊锋

    증경명%서효춘%류위길%리헌걸%오금평%왕전수%곽건괴%조영림%게준봉

    GaAs%HBT%微波单片集成电路 GaAs%HBT%微波單片集成電路
    GaAs%HBT%미파단편집성전로
    叙述了基于GaAsHBT的直接耦合级联形式,设计制造的几种微波单片集成电路,包括2.5Gb/s跨阻放大器、3GHz可级联放大器和10Gb/s跨阻放大器的设计、制造和测试结果.
    서술료기우GaAsHBT적직접우합급련형식,설계제조적궤충미파단편집성전로,포괄2.5Gb/s과조방대기、3GHz가급련방대기화10Gb/s과조방대기적설계、제조화측시결과.
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