半导体光电
半導體光電
반도체광전
SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS
1999年
4期
241-244
,共4页
孙燕杰%何山虎%甄聪棉%龚恒翔%杨映虎%王印月
孫燕傑%何山虎%甄聰棉%龔恆翔%楊映虎%王印月
손연걸%하산호%견총면%공항상%양영호%왕인월
圆形传输线模型%金属/半导体接触%接触电阻率
圓形傳輸線模型%金屬/半導體接觸%接觸電阻率
원형전수선모형%금속/반도체접촉%접촉전조솔
系统地介绍了用圆形传输线模型(CTLM)测量金属/半导体欧姆接触电阻率的基本原理.以Al/Si接触为例研究了不同掺杂浓度和不同温度退火对接触特性和接触电阻率ρC的影响.测量得到Al/Si欧姆接触电阻率的最小值约为2.4×10-5 Ω.cm2 .
繫統地介紹瞭用圓形傳輸線模型(CTLM)測量金屬/半導體歐姆接觸電阻率的基本原理.以Al/Si接觸為例研究瞭不同摻雜濃度和不同溫度退火對接觸特性和接觸電阻率ρC的影響.測量得到Al/Si歐姆接觸電阻率的最小值約為2.4×10-5 Ω.cm2 .
계통지개소료용원형전수선모형(CTLM)측량금속/반도체구모접촉전조솔적기본원리.이Al/Si접촉위례연구료불동참잡농도화불동온도퇴화대접촉특성화접촉전조솔ρC적영향.측량득도Al/Si구모접촉전조솔적최소치약위2.4×10-5 Ω.cm2 .
