半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2003年
1期
39-43
,共5页
李昱峰%韩培德%陈振%黎大兵%王占国
李昱峰%韓培德%陳振%黎大兵%王佔國
리욱봉%한배덕%진진%려대병%왕점국
InGaN%量子点%MOCVD
InGaN%量子點%MOCVD
InGaN%양자점%MOCVD
为了得到高性能的GaN基发光器件,有源层采用MOCVD技术和表面应力的不均匀性诱导方法生长了InGaN量子点,并通过原子力显微镜(AFM)、透射电子显微镜(TEM)和光致发光(PL)谱对其微观形貌和光学性质进行了观察和研究.AFM和TEM观察结果表明:InGaN/GaN为平均直径约30nm,高度约25nm的圆锥;InGaN量子点主要集中在圆锥形的顶部,其密度达到5.6×1010cm-2.室温下,InGaN量子点材料PL谱强度大大超出相同生长时间的InGaN薄膜材料,这说明InGaN量子点有望作为高性能有源层材料应用于GaN基发光器件.
為瞭得到高性能的GaN基髮光器件,有源層採用MOCVD技術和錶麵應力的不均勻性誘導方法生長瞭InGaN量子點,併通過原子力顯微鏡(AFM)、透射電子顯微鏡(TEM)和光緻髮光(PL)譜對其微觀形貌和光學性質進行瞭觀察和研究.AFM和TEM觀察結果錶明:InGaN/GaN為平均直徑約30nm,高度約25nm的圓錐;InGaN量子點主要集中在圓錐形的頂部,其密度達到5.6×1010cm-2.室溫下,InGaN量子點材料PL譜彊度大大超齣相同生長時間的InGaN薄膜材料,這說明InGaN量子點有望作為高性能有源層材料應用于GaN基髮光器件.
위료득도고성능적GaN기발광기건,유원층채용MOCVD기술화표면응력적불균균성유도방법생장료InGaN양자점,병통과원자력현미경(AFM)、투사전자현미경(TEM)화광치발광(PL)보대기미관형모화광학성질진행료관찰화연구.AFM화TEM관찰결과표명:InGaN/GaN위평균직경약30nm,고도약25nm적원추;InGaN양자점주요집중재원추형적정부,기밀도체도5.6×1010cm-2.실온하,InGaN양자점재료PL보강도대대초출상동생장시간적InGaN박막재료,저설명InGaN양자점유망작위고성능유원층재료응용우GaN기발광기건.
