发光学报
髮光學報
발광학보
CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
2002年
5期
456-460
,共5页
静压%异质结构%直接禁带-间接禁带转变%压力系数
靜壓%異質結構%直接禁帶-間接禁帶轉變%壓力繫數
정압%이질결구%직접금대-간접금대전변%압력계수
用经验赝势方法计算了体ZnSe以及ZnSe/GaAs单异质结系统中ZnSe外延层Γ、X、L等特殊对称点导带底能量随压力的变化.结果表明,同Si、Ge、GaAs等半导体材料不同,ZnSe的X点导带底具有正的压力系数,但比Γ点的压力系数小,这是ZnSe材料以及ZnSe基异质结构材料发生直接禁带向间接禁带的转变时所需转变压力较大的根本原因.研究了ZnSe/GaAs异质结构中晶格失配造成的应变对外延层Γ、X、L对称点压力系数的影响,表明这种晶格失配造成的应变可以极大地减小ZnSe外延层材料由直接禁带向间接禁带的转变压力.
用經驗贗勢方法計算瞭體ZnSe以及ZnSe/GaAs單異質結繫統中ZnSe外延層Γ、X、L等特殊對稱點導帶底能量隨壓力的變化.結果錶明,同Si、Ge、GaAs等半導體材料不同,ZnSe的X點導帶底具有正的壓力繫數,但比Γ點的壓力繫數小,這是ZnSe材料以及ZnSe基異質結構材料髮生直接禁帶嚮間接禁帶的轉變時所需轉變壓力較大的根本原因.研究瞭ZnSe/GaAs異質結構中晶格失配造成的應變對外延層Γ、X、L對稱點壓力繫數的影響,錶明這種晶格失配造成的應變可以極大地減小ZnSe外延層材料由直接禁帶嚮間接禁帶的轉變壓力.
용경험안세방법계산료체ZnSe이급ZnSe/GaAs단이질결계통중ZnSe외연층Γ、X、L등특수대칭점도대저능량수압력적변화.결과표명,동Si、Ge、GaAs등반도체재료불동,ZnSe적X점도대저구유정적압력계수,단비Γ점적압력계수소,저시ZnSe재료이급ZnSe기이질결구재료발생직접금대향간접금대적전변시소수전변압력교대적근본원인.연구료ZnSe/GaAs이질결구중정격실배조성적응변대외연층Γ、X、L대칭점압력계수적영향,표명저충정격실배조성적응변가이겁대지감소ZnSe외연층재료유직접금대향간접금대적전변압력.
