压电与声光
壓電與聲光
압전여성광
PIEZOELECTRICS & ACOUSTOOPTICS
2002年
3期
208-212
,共5页
夏钟福%邱勋林%朱伽倩%张冶文
夏鐘福%邱勛林%硃伽倩%張冶文
하종복%구훈림%주가천%장야문
化学表面修正%抗湿能力%电荷的热稳定性%六甲基二硅胺烷和二氯二甲基硅烷
化學錶麵脩正%抗濕能力%電荷的熱穩定性%六甲基二硅胺烷和二氯二甲基硅烷
화학표면수정%항습능력%전하적열은정성%륙갑기이규알완화이록이갑기규완
描述了为改善其表面驻极态的抗湿能力,对Si基Si3N4和Si3N4/SiO2薄膜驻极体所进行的化学表面修正的基本原理.以六甲基二硅胺烷(HMDS)和二氯二甲基硅烷(DCDMS)两种化学修正试剂对这类薄膜驻极体的改性效果进行了对比性的研究.结果指出:从抗湿能力考虑,经DCDMS修正的氮、氧化硅驻极体的电荷稳定性优于HMDS处理的样品,是由于这类修正形成了更完善的表面单分子疏水层;但如果从驻极体的储电热稳定性方面考虑,以HMDS处理的样品优于DCDMS样品,是由于被HMDS修正的表面层内形成了较高浓度的深能级陷阱.
描述瞭為改善其錶麵駐極態的抗濕能力,對Si基Si3N4和Si3N4/SiO2薄膜駐極體所進行的化學錶麵脩正的基本原理.以六甲基二硅胺烷(HMDS)和二氯二甲基硅烷(DCDMS)兩種化學脩正試劑對這類薄膜駐極體的改性效果進行瞭對比性的研究.結果指齣:從抗濕能力攷慮,經DCDMS脩正的氮、氧化硅駐極體的電荷穩定性優于HMDS處理的樣品,是由于這類脩正形成瞭更完善的錶麵單分子疏水層;但如果從駐極體的儲電熱穩定性方麵攷慮,以HMDS處理的樣品優于DCDMS樣品,是由于被HMDS脩正的錶麵層內形成瞭較高濃度的深能級陷阱.
묘술료위개선기표면주겁태적항습능력,대Si기Si3N4화Si3N4/SiO2박막주겁체소진행적화학표면수정적기본원리.이륙갑기이규알완(HMDS)화이록이갑기규완(DCDMS)량충화학수정시제대저류박막주겁체적개성효과진행료대비성적연구.결과지출:종항습능력고필,경DCDMS수정적담、양화규주겁체적전하은정성우우HMDS처리적양품,시유우저류수정형성료경완선적표면단분자소수층;단여과종주겁체적저전열은정성방면고필,이HMDS처리적양품우우DCDMS양품,시유우피HMDS수정적표면층내형성료교고농도적심능급함정.
