光学仪器
光學儀器
광학의기
OPTICAL INSTRUMENTS
2001年
6期
23-26
,共4页
顾四朋%侯立松%曾贤成%赵启涛
顧四朋%侯立鬆%曾賢成%趙啟濤
고사붕%후립송%증현성%조계도
Ge-Sb-Te-O%相变薄膜%氧掺杂%反射率对比度%光存储
Ge-Sb-Te-O%相變薄膜%氧摻雜%反射率對比度%光存儲
Ge-Sb-Te-O%상변박막%양참잡%반사솔대비도%광존저
研究了单层Ge-Sb-Te-O射频溅射薄膜在400nm～800nm区域的光学常数(N,K)和反射、透射光谱,发现适当的氧掺杂能增加退火前后反射率对比度,因此,可以通过氧掺杂改良Ge-Sb-Te相变材料的光存储性能.
研究瞭單層Ge-Sb-Te-O射頻濺射薄膜在400nm～800nm區域的光學常數(N,K)和反射、透射光譜,髮現適噹的氧摻雜能增加退火前後反射率對比度,因此,可以通過氧摻雜改良Ge-Sb-Te相變材料的光存儲性能.
연구료단층Ge-Sb-Te-O사빈천사박막재400nm～800nm구역적광학상수(N,K)화반사、투사광보,발현괄당적양참잡능증가퇴화전후반사솔대비도,인차,가이통과양참잡개량Ge-Sb-Te상변재료적광존저성능.
