半导体光电
半導體光電
반도체광전
SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS
2000年
2期
100-103
,共4页
王长安%周雪梅%张少强%赵伯芳%徐重阳
王長安%週雪梅%張少彊%趙伯芳%徐重暘
왕장안%주설매%장소강%조백방%서중양
非晶硅薄膜%薄膜晶体管%背光照射%关态电流
非晶硅薄膜%薄膜晶體管%揹光照射%關態電流
비정규박막%박막정체관%배광조사%관태전류
提出一种能有效抑制背光照影响的非晶硅薄膜晶体管(a-Si:H TFT)结构.详细地分析了源、漏电极接触区和沟通区内载流子的输运特性.论述了在背光照射下,这种结构的TFT能有效抑制关态电流(Ioff)上升的机理.研究了有源层a-Si:H膜层厚度对TFT关态电流和开态电流的影响.检测了这种结构TFT在暗态和背光照射下的静态特性.
提齣一種能有效抑製揹光照影響的非晶硅薄膜晶體管(a-Si:H TFT)結構.詳細地分析瞭源、漏電極接觸區和溝通區內載流子的輸運特性.論述瞭在揹光照射下,這種結構的TFT能有效抑製關態電流(Ioff)上升的機理.研究瞭有源層a-Si:H膜層厚度對TFT關態電流和開態電流的影響.檢測瞭這種結構TFT在暗態和揹光照射下的靜態特性.
제출일충능유효억제배광조영향적비정규박막정체관(a-Si:H TFT)결구.상세지분석료원、루전겁접촉구화구통구내재류자적수운특성.논술료재배광조사하,저충결구적TFT능유효억제관태전류(Ioff)상승적궤리.연구료유원층a-Si:H막층후도대TFT관태전류화개태전류적영향.검측료저충결구TFT재암태화배광조사하적정태특성.
