Al2O3高k栅介质的可靠性
Al2O3고k책개질적가고성
Reliability of Al2O3 High k Dielectric
  • 万方数据
    半导体学报 반도체학보
    CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
    2003年 9期 1005-1008 ,共4页

    杨红%康晋锋%韩德栋%任驰%夏志良%刘晓彦%韩汝琦

    양홍%강진봉%한덕동%임치%하지량%류효언%한여기

    高k栅介质%可靠性%时变击穿 高k柵介質%可靠性%時變擊穿
    고k책개질%가고성%시변격천
    利用反应溅射方法制备了等效氧化层厚度为3.45nm的Al2O3栅介质MOS电容,研究了Al2O3作为栅介质的瞬时击穿和恒压应力下的时变击穿等可靠性特征.击穿实验显示,样品的Al2O3栅介质的等效击穿场强大小为12.8MV/cm.在时变击穿的实验中,Al2O3栅介质表现出类似于SiO2的软击穿现象.不同栅压应力作用的测试结果表明,介质中注入电荷的积累效应是引起软击穿的主要因素,其对应的介质击穿电荷QBD约为30～60C/cm2.
    이용반응천사방법제비료등효양화층후도위3.45nm적Al2O3책개질MOS전용,연구료Al2O3작위책개질적순시격천화항압응력하적시변격천등가고성특정.격천실험현시,양품적Al2O3책개질적등효격천장강대소위12.8MV/cm.재시변격천적실험중,Al2O3책개질표현출유사우SiO2적연격천현상.불동책압응력작용적측시결과표명,개질중주입전하적적루효응시인기연격천적주요인소,기대응적개질격천전하QBD약위30～60C/cm2.
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