CAJ | 학술논문

目前,制备性能优异的p-ZnO薄膜的可重复性问题已成为制约ZnO基光电器件发展的一个主要因素.本文利用直流反应磁控溅射技术,以X射线衍射,霍尔效应测试,X射线光电子能谱及透射光谱为表征手段,研究了不同衬底温度对Al+N共掺p-ZnO薄膜电学、光学、结晶性能的影响,并从N2O的分解反应及衬底表面各种原子的迁移过程提出导致薄膜性能差异的原因.在最佳衬底温度(500℃)时,p-ZnO薄膜空穴浓度达2.52×1017cm-3,电阻率为28.3Ω·cm.
목전,제비성능우이적p-ZnO박막적가중복성문제이성위제약ZnO기광전기건발전적일개주요인소.본문이용직류반응자공천사기술,이X사선연사,곽이효응측시,X사선광전자능보급투사광보위표정수단,연구료불동츤저온도대Al+N공참p-ZnO박막전학、광학、결정성능적영향,병종N2O적분해반응급츤저표면각충원자적천이과정제출도치박막성능차이적원인.재최가츤저온도(500℃)시,p-ZnO박막공혈농도체2.52×1017cm-3,전조솔위28.3Ω·cm.