发光学报
髮光學報
발광학보
CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
2007年
4期
579-584
,共6页
陈超%刘渝珍%张国斌%徐彭寿%符义兵%董立军%陈大鹏
陳超%劉渝珍%張國斌%徐彭壽%符義兵%董立軍%陳大鵬
진초%류투진%장국빈%서팽수%부의병%동립군%진대붕
SiCN%C+离子注入%高温退火%X射线光电子能谱(XPS)%光致发光(PL)
SiCN%C+離子註入%高溫退火%X射線光電子能譜(XPS)%光緻髮光(PL)
SiCN%C+리자주입%고온퇴화%X사선광전자능보(XPS)%광치발광(PL)
常温下对低压化学气相沉积制备的纳米硅镶嵌结构的a-SiNx:H 薄膜进行低能量高剂量的C+注入后,在800～1 200 ℃高温进行常规退火处理.X射线光电子能谱(XPS)及 X射线光电子衍射(XRD)等实验结果表明,当退火温度由800 ℃升高到1 200 ℃后,薄膜部分结构由SiCxNy转变成SiNx和SiC的混合结构.低温下利用真空紫外光激发,获得分别来自于SiNx、SiCxNy、SiC的,位于2.95,2.58,2.29 eV的光致发光光谱.随着退火温度的升高,薄膜的结构发生了变化,发光光谱也有相应的改变.
常溫下對低壓化學氣相沉積製備的納米硅鑲嵌結構的a-SiNx:H 薄膜進行低能量高劑量的C+註入後,在800～1 200 ℃高溫進行常規退火處理.X射線光電子能譜(XPS)及 X射線光電子衍射(XRD)等實驗結果錶明,噹退火溫度由800 ℃升高到1 200 ℃後,薄膜部分結構由SiCxNy轉變成SiNx和SiC的混閤結構.低溫下利用真空紫外光激髮,穫得分彆來自于SiNx、SiCxNy、SiC的,位于2.95,2.58,2.29 eV的光緻髮光光譜.隨著退火溫度的升高,薄膜的結構髮生瞭變化,髮光光譜也有相應的改變.
상온하대저압화학기상침적제비적납미규양감결구적a-SiNx:H 박막진행저능량고제량적C+주입후,재800～1 200 ℃고온진행상규퇴화처리.X사선광전자능보(XPS)급 X사선광전자연사(XRD)등실험결과표명,당퇴화온도유800 ℃승고도1 200 ℃후,박막부분결구유SiCxNy전변성SiNx화SiC적혼합결구.저온하이용진공자외광격발,획득분별래자우SiNx、SiCxNy、SiC적,위우2.95,2.58,2.29 eV적광치발광광보.수착퇴화온도적승고,박막적결구발생료변화,발광광보야유상응적개변.
