半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2009年
4期
381-384,392
,共5页
脉冲功率放大器%微波脉冲晶体管%调制电路%脉冲波形顶降
脈遲功率放大器%微波脈遲晶體管%調製電路%脈遲波形頂降
맥충공솔방대기%미파맥충정체관%조제전로%맥충파형정강
针对固态脉冲功率放大器存在脉冲波形顶降问题,从功率放大器的基本原理构成出发,对引起脉冲顶降的三个主要方面进行了分析讨论:GaAs晶体管脉冲调制开关电路、Si微波脉冲功率晶体管自身项降以及功率晶体管的匹配电路,通过理论推导指出了脉冲顶降产生的原因,结合设计制作固态功率放大器时常出现的脉冲顶降问题,提出了解决办法及改善途径,并通过实验进行了验证,使脉冲顶降得到了改善.
針對固態脈遲功率放大器存在脈遲波形頂降問題,從功率放大器的基本原理構成齣髮,對引起脈遲頂降的三箇主要方麵進行瞭分析討論:GaAs晶體管脈遲調製開關電路、Si微波脈遲功率晶體管自身項降以及功率晶體管的匹配電路,通過理論推導指齣瞭脈遲頂降產生的原因,結閤設計製作固態功率放大器時常齣現的脈遲頂降問題,提齣瞭解決辦法及改善途徑,併通過實驗進行瞭驗證,使脈遲頂降得到瞭改善.
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