微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2011年
9期
558-561,582
,共5页
碳化硅(SIC)%金属半导体场效应晶体管(MESFET)%功率%微波%S波段
碳化硅(SIC)%金屬半導體場效應晶體管(MESFET)%功率%微波%S波段
탄화규(SIC)%금속반도체장효응정체관(MESFET)%공솔%미파%S파단
针对SiC功率金属半导体场效应晶体管如何在实现高性能的同时保证器件长期稳定的工作,从金属半导体接触、器件制造过程中的台阶控制、氧化与钝化层的设计及器件背面金属化实现等方面进行了分析；并结合具体工艺,对比给出了部分实验结果.从测试数据看,研制的微波SiC MESFET器件性能由研制初期在S波段瓦级左右的功率输出及较低的功率增益和功率附加效率,达到了在实现大功率输出的条件下,比Si器件高的功率增益和30％以上的功率附加效率,初步体现了SiC MESFET微波功率器件的优势,器件的稳定性也得到了提升,为器件性能和可靠性的进一步提升奠定了设计和工艺基础.
針對SiC功率金屬半導體場效應晶體管如何在實現高性能的同時保證器件長期穩定的工作,從金屬半導體接觸、器件製造過程中的檯階控製、氧化與鈍化層的設計及器件揹麵金屬化實現等方麵進行瞭分析；併結閤具體工藝,對比給齣瞭部分實驗結果.從測試數據看,研製的微波SiC MESFET器件性能由研製初期在S波段瓦級左右的功率輸齣及較低的功率增益和功率附加效率,達到瞭在實現大功率輸齣的條件下,比Si器件高的功率增益和30％以上的功率附加效率,初步體現瞭SiC MESFET微波功率器件的優勢,器件的穩定性也得到瞭提升,為器件性能和可靠性的進一步提升奠定瞭設計和工藝基礎.
침대SiC공솔금속반도체장효응정체관여하재실현고성능적동시보증기건장기은정적공작,종금속반도체접촉、기건제조과정중적태계공제、양화여둔화층적설계급기건배면금속화실현등방면진행료분석；병결합구체공예,대비급출료부분실험결과.종측시수거간,연제적미파SiC MESFET기건성능유연제초기재S파단와급좌우적공솔수출급교저적공솔증익화공솔부가효솔,체도료재실현대공솔수출적조건하,비Si기건고적공솔증익화30％이상적공솔부가효솔,초보체현료SiC MESFET미파공솔기건적우세,기건적은정성야득도료제승,위기건성능화가고성적진일보제승전정료설계화공예기출.
