中国有色金属学报
中國有色金屬學報
중국유색금속학보
THE CHINESE JOURNAL OF NONFERROUS METALS
2003年
6期
1414-1419
,共6页
江炳尧%任琮欣%郑志宏%柳襄怀%樊会明%姚刘聪%李玉涛%苏小保
江炳堯%任琮訢%鄭誌宏%柳襄懷%樊會明%姚劉聰%李玉濤%囌小保
강병요%임종흔%정지굉%류양부%번회명%요류총%리옥도%소소보
离子束辅助沉积%铪膜%择优取向
離子束輔助沉積%鉿膜%擇優取嚮
리자속보조침적%협막%택우취향
采用离子束辅助沉积方法(IBAD)在Si(111)衬底上沉积了铪薄膜. 实验发现: 在铪膜生长时, 轰击铪膜的Ar+离子的能量、入射角度和束流密度对薄膜的晶粒取向有很大的影响. 当Ar+离子的能量为500 eV、入射角为75°、束流密度为0.9 A/m2时, 铪膜为(110)择优取向. 当束流密度大于1.2 A/m2时, 铪膜以(002)、 (100)混合晶向为主, 而与Ar+离子的入射角度无关. 讨论了铪膜晶粒取向的转变机制, 认为铪膜晶粒的择优取向, 不是单纯地取决于基于沟道效应的溅射机制, 或取决于基于能量极小原理的表面能最小或表面应力最小的面生长较快的机制, 而是影响薄膜生长的各种因素互相竞争、共同作用, 在非平衡态条件下表面能极小化的结果.
採用離子束輔助沉積方法(IBAD)在Si(111)襯底上沉積瞭鉿薄膜. 實驗髮現: 在鉿膜生長時, 轟擊鉿膜的Ar+離子的能量、入射角度和束流密度對薄膜的晶粒取嚮有很大的影響. 噹Ar+離子的能量為500 eV、入射角為75°、束流密度為0.9 A/m2時, 鉿膜為(110)擇優取嚮. 噹束流密度大于1.2 A/m2時, 鉿膜以(002)、 (100)混閤晶嚮為主, 而與Ar+離子的入射角度無關. 討論瞭鉿膜晶粒取嚮的轉變機製, 認為鉿膜晶粒的擇優取嚮, 不是單純地取決于基于溝道效應的濺射機製, 或取決于基于能量極小原理的錶麵能最小或錶麵應力最小的麵生長較快的機製, 而是影響薄膜生長的各種因素互相競爭、共同作用, 在非平衡態條件下錶麵能極小化的結果.
채용리자속보조침적방법(IBAD)재Si(111)츤저상침적료협박막. 실험발현: 재협막생장시, 굉격협막적Ar+리자적능량、입사각도화속류밀도대박막적정립취향유흔대적영향. 당Ar+리자적능량위500 eV、입사각위75°、속류밀도위0.9 A/m2시, 협막위(110)택우취향. 당속류밀도대우1.2 A/m2시, 협막이(002)、 (100)혼합정향위주, 이여Ar+리자적입사각도무관. 토론료협막정립취향적전변궤제, 인위협막정립적택우취향, 불시단순지취결우기우구도효응적천사궤제, 혹취결우기우능량겁소원리적표면능최소혹표면응력최소적면생장교쾌적궤제, 이시영향박막생장적각충인소호상경쟁、공동작용, 재비평형태조건하표면능겁소화적결과.
