天津大学学报
天津大學學報
천진대학학보
JOURNAL OF TIANJIN UNIVERSITY SCIENCE AND TECHNOLOGY
2008年
12期
1459-1464
,共6页
李斌桥%许延华%徐江涛%姚素英
李斌橋%許延華%徐江濤%姚素英
리빈교%허연화%서강도%요소영
CMOS带隙基准源%高阶曲率补偿%电流模式%低电源电压
CMOS帶隙基準源%高階麯率補償%電流模式%低電源電壓
CMOS대극기준원%고계곡솔보상%전류모식%저전원전압
为获得一个稳定而精确的基准电压,提出了一种适用于低电源电压下高阶曲率补偿的电流模式带隙基准源电路.通过在传统带隙基准源结构上增加一个电流支路,实现了高阶曲率补偿.该电路采用Chartered 0.35μm CMOS工艺,经过Specie仿真验证,输出电压为800 mV,在-40～85℃温度范围内温度系数达到3×10-6 ℃-1,电源抑制比在10kHz频率时可达-60dB,在较低电源电压为1.7V时电路可以正常启动.补偿改进后的电路性能较传统结构有很大提高.
為穫得一箇穩定而精確的基準電壓,提齣瞭一種適用于低電源電壓下高階麯率補償的電流模式帶隙基準源電路.通過在傳統帶隙基準源結構上增加一箇電流支路,實現瞭高階麯率補償.該電路採用Chartered 0.35μm CMOS工藝,經過Specie倣真驗證,輸齣電壓為800 mV,在-40～85℃溫度範圍內溫度繫數達到3×10-6 ℃-1,電源抑製比在10kHz頻率時可達-60dB,在較低電源電壓為1.7V時電路可以正常啟動.補償改進後的電路性能較傳統結構有很大提高.
위획득일개은정이정학적기준전압,제출료일충괄용우저전원전압하고계곡솔보상적전류모식대극기준원전로.통과재전통대극기준원결구상증가일개전류지로,실현료고계곡솔보상.해전로채용Chartered 0.35μm CMOS공예,경과Specie방진험증,수출전압위800 mV,재-40～85℃온도범위내온도계수체도3×10-6 ℃-1,전원억제비재10kHz빈솔시가체-60dB,재교저전원전압위1.7V시전로가이정상계동.보상개진후적전로성능교전통결구유흔대제고.
