微电子学与计算机
微電子學與計算機
미전자학여계산궤
MICROELECTRONICS & COMPUTER
2003年
z1期
68-70
,共3页
张小平%雷天民%杨松%陈仁生
張小平%雷天民%楊鬆%陳仁生
장소평%뢰천민%양송%진인생
CMOS集成电路%抗辐射加固%总剂量效应%单粒子效应
CMOS集成電路%抗輻射加固%總劑量效應%單粒子效應
CMOS집성전로%항복사가고%총제량효응%단입자효응
随着商业微电子器件抗辐射能力的提高,使得对专用集成电路(ASIC)从设计上进行抗辐射加固成为可能.本文介绍了CMOS器件的抗电离辐射的主要加固设计方法,认为在商业工艺上可以获得低成本的中等复杂程度和耐辐射能力的专用集成电路(ASIC).
隨著商業微電子器件抗輻射能力的提高,使得對專用集成電路(ASIC)從設計上進行抗輻射加固成為可能.本文介紹瞭CMOS器件的抗電離輻射的主要加固設計方法,認為在商業工藝上可以穫得低成本的中等複雜程度和耐輻射能力的專用集成電路(ASIC).
수착상업미전자기건항복사능력적제고,사득대전용집성전로(ASIC)종설계상진행항복사가고성위가능.본문개소료CMOS기건적항전리복사적주요가고설계방법,인위재상업공예상가이획득저성본적중등복잡정도화내복사능력적전용집성전로(ASIC).
