信息技术
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신식기술
INFORMATION TECHNOLOGY
2008年
4期
81-83,96
,共4页
晶体振荡主电路%自动振幅控制%相位噪声
晶體振盪主電路%自動振幅控製%相位譟聲
정체진탕주전로%자동진폭공제%상위조성
描述了一种射频芯片内数控晶体振荡器(DCXO)的振荡主电路设计,以Deep-N-Well CMOS工艺的PMOS为主工作管,采用Santos(改进Colpitts)结构、非对称差分式振幅控制环,避免了因Vt依赖工艺与温度等而产生的可靠启振问题.该10MHz DCXO振荡器主电路,采用TSMC Mixed/RF 0.18μm CMOS工艺,在2V电源电压下,仿真得到输出特性为:振幅峰峰值0.8V,平均电流2.9mA,相位噪声-140dBc/Hz@1kHz,-173dBc/Hz@1MHz,启动时间约2.8毫秒,可作为DCXO核心振荡模块.
描述瞭一種射頻芯片內數控晶體振盪器(DCXO)的振盪主電路設計,以Deep-N-Well CMOS工藝的PMOS為主工作管,採用Santos(改進Colpitts)結構、非對稱差分式振幅控製環,避免瞭因Vt依賴工藝與溫度等而產生的可靠啟振問題.該10MHz DCXO振盪器主電路,採用TSMC Mixed/RF 0.18μm CMOS工藝,在2V電源電壓下,倣真得到輸齣特性為:振幅峰峰值0.8V,平均電流2.9mA,相位譟聲-140dBc/Hz@1kHz,-173dBc/Hz@1MHz,啟動時間約2.8毫秒,可作為DCXO覈心振盪模塊.
묘술료일충사빈심편내수공정체진탕기(DCXO)적진탕주전로설계,이Deep-N-Well CMOS공예적PMOS위주공작관,채용Santos(개진Colpitts)결구、비대칭차분식진폭공제배,피면료인Vt의뢰공예여온도등이산생적가고계진문제.해10MHz DCXO진탕기주전로,채용TSMC Mixed/RF 0.18μm CMOS공예,재2V전원전압하,방진득도수출특성위:진폭봉봉치0.8V,평균전류2.9mA,상위조성-140dBc/Hz@1kHz,-173dBc/Hz@1MHz,계동시간약2.8호초,가작위DCXO핵심진탕모괴.
