红外与毫米波学报
紅外與毫米波學報
홍외여호미파학보
JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES
2008年
5期
333-336
,共4页
混频器%砷化镓%毫米波%变频增益%隔离度
混頻器%砷化鎵%毫米波%變頻增益%隔離度
혼빈기%신화가%호미파%변빈증익%격리도
采用OMMIC 0.18μm GaAs pHEMT工艺,研制了毫米波单片有源混频器.该混频器选用单栅极单端FET混频结构.在中频输出端设计了低通滤波器,以提高LO-IF、RF-IF的隔离度.芯片的尺寸仅为0.95mm×1.85mm.在射频频率为39GHz、输出中频频率为3GHz时,该混频器的变频增益为0.6dB,LO-IF隔离度大于55dB,RF-IF的隔离度大于30dB.
採用OMMIC 0.18μm GaAs pHEMT工藝,研製瞭毫米波單片有源混頻器.該混頻器選用單柵極單耑FET混頻結構.在中頻輸齣耑設計瞭低通濾波器,以提高LO-IF、RF-IF的隔離度.芯片的呎吋僅為0.95mm×1.85mm.在射頻頻率為39GHz、輸齣中頻頻率為3GHz時,該混頻器的變頻增益為0.6dB,LO-IF隔離度大于55dB,RF-IF的隔離度大于30dB.
채용OMMIC 0.18μm GaAs pHEMT공예,연제료호미파단편유원혼빈기.해혼빈기선용단책겁단단FET혼빈결구.재중빈수출단설계료저통려파기,이제고LO-IF、RF-IF적격리도.심편적척촌부위0.95mm×1.85mm.재사빈빈솔위39GHz、수출중빈빈솔위3GHz시,해혼빈기적변빈증익위0.6dB,LO-IF격리도대우55dB,RF-IF적격리도대우30dB.
