山西电子技术
山西電子技術
산서전자기술
SHANXI ELECTRONIC TECHNOLOGY
2010年
4期
91-93
,共3页
功率VDMOSFET%计算机模拟仿真%结终端结构
功率VDMOSFET%計算機模擬倣真%結終耑結構
공솔VDMOSFET%계산궤모의방진%결종단결구
按照功率VDMOSFET正向设计的思路,选取(100)晶向的衬底硅片,采用多晶硅栅自对准工艺,结合MEDICI器件仿真和SUPREM-4工艺仿真软件,提取参数结果,并最终完成工艺产品试制,达到了500 V/8 A高压、大电流VDMOSFET的设计与研制要求.结果证明,通过计算机模拟仿真,架起了理论分析与实际产品试制之间的桥梁.相对于原来小批量投片、反复试制的方法,不仅节约了时间,降低了研制成本,而且模拟结果与实际试制结果之间能够较好地吻合.针对传统结终端结构的弊端,提出了一种新型结终端结构,大大提高了产品的击穿电压和可靠性.
按照功率VDMOSFET正嚮設計的思路,選取(100)晶嚮的襯底硅片,採用多晶硅柵自對準工藝,結閤MEDICI器件倣真和SUPREM-4工藝倣真軟件,提取參數結果,併最終完成工藝產品試製,達到瞭500 V/8 A高壓、大電流VDMOSFET的設計與研製要求.結果證明,通過計算機模擬倣真,架起瞭理論分析與實際產品試製之間的橋樑.相對于原來小批量投片、反複試製的方法,不僅節約瞭時間,降低瞭研製成本,而且模擬結果與實際試製結果之間能夠較好地吻閤.針對傳統結終耑結構的弊耑,提齣瞭一種新型結終耑結構,大大提高瞭產品的擊穿電壓和可靠性.
안조공솔VDMOSFET정향설계적사로,선취(100)정향적츤저규편,채용다정규책자대준공예,결합MEDICI기건방진화SUPREM-4공예방진연건,제취삼수결과,병최종완성공예산품시제,체도료500 V/8 A고압、대전류VDMOSFET적설계여연제요구.결과증명,통과계산궤모의방진,가기료이론분석여실제산품시제지간적교량.상대우원래소비량투편、반복시제적방법,불부절약료시간,강저료연제성본,이차모의결과여실제시제결과지간능구교호지문합.침대전통결종단결구적폐단,제출료일충신형결종단결구,대대제고료산품적격천전압화가고성.
