四川理工学院学报（自然科学版）
四川理工學院學報（自然科學版）
사천리공학원학보（자연과학판）
JOURNAL OF SICHUAN UNIVERSITY OF SCIENCE & ENGINEERING(NATURAL SCIENCE EDITION)
2010年
4期
411-413
,共3页
AlN%能带%能隙%密度泛函理论
AlN%能帶%能隙%密度汎函理論
AlN%능대%능극%밀도범함이론
文章采用基于密度泛函理论的平面波超软赝势法计算了AlN晶体的能带结构和态密度曲线.研究表明,AlN的价带由-15.3eV～-12.3eV的下价带和-6.2eV～0eV的上价带区组成,价带顶出现三个子带:简并的重空穴、轻空穴和自旋-轨道耦合所分裂出来的劈裂带(距带顶0.2eV);导带主要是由Al的3s、3p态电子和N的2p态电子构成的;理论预测AlN价带空穴具有大的有效质量; AlN是一种直接宽禁带半导体,带隙为4.7eV,比较起来该结果优于一些文献中的计算值.
文章採用基于密度汎函理論的平麵波超軟贗勢法計算瞭AlN晶體的能帶結構和態密度麯線.研究錶明,AlN的價帶由-15.3eV～-12.3eV的下價帶和-6.2eV～0eV的上價帶區組成,價帶頂齣現三箇子帶:簡併的重空穴、輕空穴和自鏇-軌道耦閤所分裂齣來的劈裂帶(距帶頂0.2eV);導帶主要是由Al的3s、3p態電子和N的2p態電子構成的;理論預測AlN價帶空穴具有大的有效質量; AlN是一種直接寬禁帶半導體,帶隙為4.7eV,比較起來該結果優于一些文獻中的計算值.
문장채용기우밀도범함이론적평면파초연안세법계산료AlN정체적능대결구화태밀도곡선.연구표명,AlN적개대유-15.3eV～-12.3eV적하개대화-6.2eV～0eV적상개대구조성,개대정출현삼개자대:간병적중공혈、경공혈화자선-궤도우합소분렬출래적벽렬대(거대정0.2eV);도대주요시유Al적3s、3p태전자화N적2p태전자구성적;이론예측AlN개대공혈구유대적유효질량; AlN시일충직접관금대반도체,대극위4.7eV,비교기래해결과우우일사문헌중적계산치.
