固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2011年
3期
226-232
,共7页
任春江%陈堂胜%余旭明%张斌
任春江%陳堂勝%餘旭明%張斌
임춘강%진당성%여욱명%장빈
铝镓氮/氮化镓%高电子迁移率晶体管%场板%栅挖槽%难熔栅
鋁鎵氮/氮化鎵%高電子遷移率晶體管%場闆%柵挖槽%難鎔柵
려가담/담화가%고전자천이솔정체관%장판%책알조%난용책
对0.25 μm双场板结构GaN HEMT器件的温度特性进行了研究.负载牵引测试结果显示,GaN HEMT增益的温度系数为-0.02 dB/°C、饱和输出功率系数为-0.004 dB/°C.大的增益温度系数结合GaN HEMT 自热效应引起的高温升对实际应用特别是功率MMIC的设计带来了挑战.按常温设计的GaN功率MMIC在高温下输出功率出现了较大幅度的下降,并且连续波与脉冲下工作输出功率存在较大差异.针对GaN HEMT应用中的这些问题提出了解决措施,包括降低2DEG浓度来减小增益的温度系数,通过选择SiC衬底和衬底减薄以及版图设计改善器件散热,降低器件工作时的温升.
對0.25 μm雙場闆結構GaN HEMT器件的溫度特性進行瞭研究.負載牽引測試結果顯示,GaN HEMT增益的溫度繫數為-0.02 dB/°C、飽和輸齣功率繫數為-0.004 dB/°C.大的增益溫度繫數結閤GaN HEMT 自熱效應引起的高溫升對實際應用特彆是功率MMIC的設計帶來瞭挑戰.按常溫設計的GaN功率MMIC在高溫下輸齣功率齣現瞭較大幅度的下降,併且連續波與脈遲下工作輸齣功率存在較大差異.針對GaN HEMT應用中的這些問題提齣瞭解決措施,包括降低2DEG濃度來減小增益的溫度繫數,通過選擇SiC襯底和襯底減薄以及版圖設計改善器件散熱,降低器件工作時的溫升.
대0.25 μm쌍장판결구GaN HEMT기건적온도특성진행료연구.부재견인측시결과현시,GaN HEMT증익적온도계수위-0.02 dB/°C、포화수출공솔계수위-0.004 dB/°C.대적증익온도계수결합GaN HEMT 자열효응인기적고온승대실제응용특별시공솔MMIC적설계대래료도전.안상온설계적GaN공솔MMIC재고온하수출공솔출현료교대폭도적하강,병차련속파여맥충하공작수출공솔존재교대차이.침대GaN HEMT응용중적저사문제제출료해결조시,포괄강저2DEG농도래감소증익적온도계수,통과선택SiC츤저화츤저감박이급판도설계개선기건산열,강저기건공작시적온승.
