半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2004年
11期
1544-1548
,共5页
陈媛媛%夏金松%樊中朝%余金中
陳媛媛%夏金鬆%樊中朝%餘金中
진원원%하금송%번중조%여금중
热氧化%光波导%表面粗糙度
熱氧化%光波導%錶麵粗糙度
열양화%광파도%표면조조도
提出了一种热氧化的方法来改善干法刻蚀硅波导的表面质量.通过Suprem二维工艺模拟程序对氧化过程的物理模型进行了分析.用实验证实了该方法的可行性并与模拟结果进行了比较.实验中将硅波导的表面粗糙度由65.4nm降低到了8.8nm.另外讨论了分次氧化方法的利弊.
提齣瞭一種熱氧化的方法來改善榦法刻蝕硅波導的錶麵質量.通過Suprem二維工藝模擬程序對氧化過程的物理模型進行瞭分析.用實驗證實瞭該方法的可行性併與模擬結果進行瞭比較.實驗中將硅波導的錶麵粗糙度由65.4nm降低到瞭8.8nm.另外討論瞭分次氧化方法的利弊.
제출료일충열양화적방법래개선간법각식규파도적표면질량.통과Suprem이유공예모의정서대양화과정적물리모형진행료분석.용실험증실료해방법적가행성병여모의결과진행료비교.실험중장규파도적표면조조도유65.4nm강저도료8.8nm.령외토론료분차양화방법적리폐.
