半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2005年
1期
92-95
,共4页
郑丽萍%袁志鹏%樊宇伟%孙海锋%狄浩成%王素琴%刘新宇%吴德馨
鄭麗萍%袁誌鵬%樊宇偉%孫海鋒%狄浩成%王素琴%劉新宇%吳德馨
정려평%원지붕%번우위%손해봉%적호성%왕소금%류신우%오덕형
功率附加效率%InGaP/GaAs%功率HBT
功率附加效率%InGaP/GaAs%功率HBT
공솔부가효솔%InGaP/GaAs%공솔HBT
采用发射极-基极金属自对准工艺,成功研制出了InGaP/GaAs功率HBT.发射极尺寸为(3μm×15μm)×16的功率器件的截止频率和最高振荡频率分别为55GHz和35GHz.在片load-pull测试表明:当工作频率为1GHz时,器件工作在AB类,该功率管最大输出功率为23.5dBm,最大功率附加效率达60%,P1dB的输出功率为21dBm,对应增益为16dB,工作电压为3.5V.
採用髮射極-基極金屬自對準工藝,成功研製齣瞭InGaP/GaAs功率HBT.髮射極呎吋為(3μm×15μm)×16的功率器件的截止頻率和最高振盪頻率分彆為55GHz和35GHz.在片load-pull測試錶明:噹工作頻率為1GHz時,器件工作在AB類,該功率管最大輸齣功率為23.5dBm,最大功率附加效率達60%,P1dB的輸齣功率為21dBm,對應增益為16dB,工作電壓為3.5V.
채용발사겁-기겁금속자대준공예,성공연제출료InGaP/GaAs공솔HBT.발사겁척촌위(3μm×15μm)×16적공솔기건적절지빈솔화최고진탕빈솔분별위55GHz화35GHz.재편load-pull측시표명:당공작빈솔위1GHz시,기건공작재AB류,해공솔관최대수출공솔위23.5dBm,최대공솔부가효솔체60%,P1dB적수출공솔위21dBm,대응증익위16dB,공작전압위3.5V.
