微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2009年
4期
209-212
,共4页
任永晓%陈宏泰%张世祖%杨红伟%花吉珍
任永曉%陳宏泰%張世祖%楊紅偉%花吉珍
임영효%진굉태%장세조%양홍위%화길진
半导体激光器%金属有机化学气相淀积%电光转换效率%加速老化%内部参数
半導體激光器%金屬有機化學氣相澱積%電光轉換效率%加速老化%內部參數
반도체격광기%금속유궤화학기상정적%전광전환효솔%가속노화%내부삼수
利用金属有机化学气相淀积(MOCVD)技术,生长了InGaAs/AlGaAs分别限制压应变双量子阱和单量子阱两种材料结构,通过对不同腔长单管激光器的LIV测试获得内部参数,对单、双阱两种材料结构器件参数进行对比分析,确定了单量子阱结构作为1.06μm大功率半导体激光器的材料结构.通过研究单管激光器的电光转换效率与腔长、注入电流的关系,获得了最高达到57.5%的电光转换效率.对1 mm腔长单管激光器进行了大电流高温加速老化测试,结果显示研制出的单管激光器室温下在1.5 A工作电流下寿命远大于10+4h.
利用金屬有機化學氣相澱積(MOCVD)技術,生長瞭InGaAs/AlGaAs分彆限製壓應變雙量子阱和單量子阱兩種材料結構,通過對不同腔長單管激光器的LIV測試穫得內部參數,對單、雙阱兩種材料結構器件參數進行對比分析,確定瞭單量子阱結構作為1.06μm大功率半導體激光器的材料結構.通過研究單管激光器的電光轉換效率與腔長、註入電流的關繫,穫得瞭最高達到57.5%的電光轉換效率.對1 mm腔長單管激光器進行瞭大電流高溫加速老化測試,結果顯示研製齣的單管激光器室溫下在1.5 A工作電流下壽命遠大于10+4h.
이용금속유궤화학기상정적(MOCVD)기술,생장료InGaAs/AlGaAs분별한제압응변쌍양자정화단양자정량충재료결구,통과대불동강장단관격광기적LIV측시획득내부삼수,대단、쌍정량충재료결구기건삼수진행대비분석,학정료단양자정결구작위1.06μm대공솔반도체격광기적재료결구.통과연구단관격광기적전광전환효솔여강장、주입전류적관계,획득료최고체도57.5%적전광전환효솔.대1 mm강장단관격광기진행료대전류고온가속노화측시,결과현시연제출적단관격광기실온하재1.5 A공작전류하수명원대우10+4h.
