功能材料与器件学报
功能材料與器件學報
공능재료여기건학보
JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS AND DEVICES
2004年
1期
67-70
,共4页
孙智林%孙伟锋%易扬波%吴建辉
孫智林%孫偉鋒%易颺波%吳建輝
손지림%손위봉%역양파%오건휘
LDMOS%导通电阻%表面注入%SOI
LDMOS%導通電阻%錶麵註入%SOI
LDMOS%도통전조%표면주입%SOI
提出了一种新型SOI P-LDMOS器件,其大部分漂移区不覆盖场氧,从而避免了因生长场氧的高温过程而引起的硼杂质分凝效应,并在制备场氧、栅氧之后进行漂移区表面注入,由于注入后没有长时间的高温过程,进一步提高了漂移区表面的掺杂浓度.模拟结果表明新型P-LDMOS性能得到明显改善,与传统P-LDMOS相比开态导通电阻降低了24.7%,击穿电压提高了17.3%,饱和电流提高了26.7%.
提齣瞭一種新型SOI P-LDMOS器件,其大部分漂移區不覆蓋場氧,從而避免瞭因生長場氧的高溫過程而引起的硼雜質分凝效應,併在製備場氧、柵氧之後進行漂移區錶麵註入,由于註入後沒有長時間的高溫過程,進一步提高瞭漂移區錶麵的摻雜濃度.模擬結果錶明新型P-LDMOS性能得到明顯改善,與傳統P-LDMOS相比開態導通電阻降低瞭24.7%,擊穿電壓提高瞭17.3%,飽和電流提高瞭26.7%.
제출료일충신형SOI P-LDMOS기건,기대부분표이구불복개장양,종이피면료인생장장양적고온과정이인기적붕잡질분응효응,병재제비장양、책양지후진행표이구표면주입,유우주입후몰유장시간적고온과정,진일보제고료표이구표면적참잡농도.모의결과표명신형P-LDMOS성능득도명현개선,여전통P-LDMOS상비개태도통전조강저료24.7%,격천전압제고료17.3%,포화전류제고료26.7%.
