物理学报
物理學報
물이학보
2006年
10期
5487-5493
,共7页
张小东%林德旭%李公平%尤伟%张利民%张宇%刘正民
張小東%林德旭%李公平%尤偉%張利民%張宇%劉正民
장소동%림덕욱%리공평%우위%장이민%장우%류정민
氮化镓%光致发光谱%离子注入
氮化鎵%光緻髮光譜%離子註入
담화가%광치발광보%리자주입
利用离子注入方法和光致发光技术系统研究了注入离子对n型GaN宽黄光发射带的影响.实验采用的注入离子为:N,O,Mg,Si和Ga,剂量分别为1013,1014,1015和1016/cm2,注入温度为室温.注入后的样品在900 ℃流动氮气环境下进行热退火,退火时间为10 min,并对退火前后的样品分别进行室温光致发光测量.通过实验数据的分析,独立提出了提取注入离子对晶体黄光发光特性影响的半经验模型.利用该模型导出的公式,可以确定注入的N,O,Ga,Mg和Si离子对黄光发射带的影响随注入剂量的变化关系以及该影响的相对强弱.
利用離子註入方法和光緻髮光技術繫統研究瞭註入離子對n型GaN寬黃光髮射帶的影響.實驗採用的註入離子為:N,O,Mg,Si和Ga,劑量分彆為1013,1014,1015和1016/cm2,註入溫度為室溫.註入後的樣品在900 ℃流動氮氣環境下進行熱退火,退火時間為10 min,併對退火前後的樣品分彆進行室溫光緻髮光測量.通過實驗數據的分析,獨立提齣瞭提取註入離子對晶體黃光髮光特性影響的半經驗模型.利用該模型導齣的公式,可以確定註入的N,O,Ga,Mg和Si離子對黃光髮射帶的影響隨註入劑量的變化關繫以及該影響的相對彊弱.
이용리자주입방법화광치발광기술계통연구료주입리자대n형GaN관황광발사대적영향.실험채용적주입리자위:N,O,Mg,Si화Ga,제량분별위1013,1014,1015화1016/cm2,주입온도위실온.주입후적양품재900 ℃류동담기배경하진행열퇴화,퇴화시간위10 min,병대퇴화전후적양품분별진행실온광치발광측량.통과실험수거적분석,독립제출료제취주입리자대정체황광발광특성영향적반경험모형.이용해모형도출적공식,가이학정주입적N,O,Ga,Mg화Si리자대황광발사대적영향수주입제량적변화관계이급해영향적상대강약.
