半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2008年
5期
984-987
,共4页
李君飞%饶海波%侯斌%胡玥%申发华
李君飛%饒海波%侯斌%鬍玥%申髮華
리군비%요해파%후빈%호모%신발화
白光LEDs%粉浆%出光效率%封装
白光LEDs%粉漿%齣光效率%封裝
백광LEDs%분장%출광효솔%봉장
基于水溶性感光胶的白光LEDs平面涂层技术,在蓝光LED芯片表面上得到了可控的荧光粉层.采用降低粉浆中ADC的浓度和提高荧光粉的含量两种措施,减少Cr3+在433.6和620nm两处吸收对器件出光效率的影响;新配制的粉浆在暗室中静置3～5h,既可以提高器件的出光效率同时又避免了暗反应带来的影响;在蓝光LED表面上得到粉层后,再涂覆硅胶层,由于硅胶的折射率与粉层的更接近,不但使出光色调偏向蓝光区域而且有更多光子出射,光通量由未加硅胶层时的44.8～59 lm提高到了79.4～84.9 lm.
基于水溶性感光膠的白光LEDs平麵塗層技術,在藍光LED芯片錶麵上得到瞭可控的熒光粉層.採用降低粉漿中ADC的濃度和提高熒光粉的含量兩種措施,減少Cr3+在433.6和620nm兩處吸收對器件齣光效率的影響;新配製的粉漿在暗室中靜置3～5h,既可以提高器件的齣光效率同時又避免瞭暗反應帶來的影響;在藍光LED錶麵上得到粉層後,再塗覆硅膠層,由于硅膠的摺射率與粉層的更接近,不但使齣光色調偏嚮藍光區域而且有更多光子齣射,光通量由未加硅膠層時的44.8～59 lm提高到瞭79.4～84.9 lm.
기우수용성감광효적백광LEDs평면도층기술,재람광LED심편표면상득도료가공적형광분층.채용강저분장중ADC적농도화제고형광분적함량량충조시,감소Cr3+재433.6화620nm량처흡수대기건출광효솔적영향;신배제적분장재암실중정치3～5h,기가이제고기건적출광효솔동시우피면료암반응대래적영향;재람광LED표면상득도분층후,재도복규효층,유우규효적절사솔여분층적경접근,불단사출광색조편향람광구역이차유경다광자출사,광통량유미가규효층시적44.8～59 lm제고도료79.4～84.9 lm.
