固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2011年
6期
568-572
,共5页
赵霞%潘晓枫%孙玢%黄念宁
趙霞%潘曉楓%孫玢%黃唸寧
조하%반효풍%손분%황념저
数控单片移相器%砷化镓%赝配高电子迁移率晶体管%移相精度
數控單片移相器%砷化鎵%贗配高電子遷移率晶體管%移相精度
수공단편이상기%신화가%안배고전자천이솔정체관%이상정도
介绍了一款自主设计采用0.25μm GaAs PHMET开关工艺制作的的S波段六位数控移相器芯片和金属陶瓷表贴管壳内的设计方法和研制结果.该移相器在工作频带2.8～3.6 GHz内64个移相态的移相精度RMS＜1.0°、插入损耗IL＜5 dB、输入输出驻波比VSWR＜1.5、幅度均衡△IL＜0.3 dB、1分贝压缩输入功率大于25 dBm、切换时间too、toff均小于10 ns.外形尺寸为10 mm×10 mm×2 mm.
介紹瞭一款自主設計採用0.25μm GaAs PHMET開關工藝製作的的S波段六位數控移相器芯片和金屬陶瓷錶貼管殼內的設計方法和研製結果.該移相器在工作頻帶2.8～3.6 GHz內64箇移相態的移相精度RMS＜1.0°、插入損耗IL＜5 dB、輸入輸齣駐波比VSWR＜1.5、幅度均衡△IL＜0.3 dB、1分貝壓縮輸入功率大于25 dBm、切換時間too、toff均小于10 ns.外形呎吋為10 mm×10 mm×2 mm.
개소료일관자주설계채용0.25μm GaAs PHMET개관공예제작적적S파단육위수공이상기심편화금속도자표첩관각내적설계방법화연제결과.해이상기재공작빈대2.8～3.6 GHz내64개이상태적이상정도RMS＜1.0°、삽입손모IL＜5 dB、수입수출주파비VSWR＜1.5、폭도균형△IL＜0.3 dB、1분패압축수입공솔대우25 dBm、절환시간too、toff균소우10 ns.외형척촌위10 mm×10 mm×2 mm.
