微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2011年
12期
797-801
,共5页
徐文婷%肖清华%常青%屠海令
徐文婷%肖清華%常青%屠海令
서문정%초청화%상청%도해령
SiGe/Ge%异质结%离子注入%固相外延%缺陷
SiGe/Ge%異質結%離子註入%固相外延%缺陷
SiGe/Ge%이질결%리자주입%고상외연%결함
采用离子束辅助固相外延技术,在Ge基片上制备了SiGe/Ge异质结.利用高分辨透射电镜(HRTEM)、能量散射谱(EDX)、喇曼散射谱对SiGe/Ge异质结的形貌、成分和结构等物理性质进行了表征.还利用上述分析手段研究了固相外延温度对SiGe/Ge异质结中SiGe外延层生长的影响.结果表明,低能条件下(30 keV)离子注入有利于形成SiGe外延层；通过对SiGe外延层高分辨晶格像的傅立叶分析得出,900℃下进行固相外延能够有效抑制SiGe外延层中点缺陷的生成；而且利用该技术外延生长的SiGe层完全弛豫.
採用離子束輔助固相外延技術,在Ge基片上製備瞭SiGe/Ge異質結.利用高分辨透射電鏡(HRTEM)、能量散射譜(EDX)、喇曼散射譜對SiGe/Ge異質結的形貌、成分和結構等物理性質進行瞭錶徵.還利用上述分析手段研究瞭固相外延溫度對SiGe/Ge異質結中SiGe外延層生長的影響.結果錶明,低能條件下(30 keV)離子註入有利于形成SiGe外延層；通過對SiGe外延層高分辨晶格像的傅立葉分析得齣,900℃下進行固相外延能夠有效抑製SiGe外延層中點缺陷的生成；而且利用該技術外延生長的SiGe層完全弛豫.
채용리자속보조고상외연기술,재Ge기편상제비료SiGe/Ge이질결.이용고분변투사전경(HRTEM)、능량산사보(EDX)、나만산사보대SiGe/Ge이질결적형모、성분화결구등물이성질진행료표정.환이용상술분석수단연구료고상외연온도대SiGe/Ge이질결중SiGe외연층생장적영향.결과표명,저능조건하(30 keV)리자주입유리우형성SiGe외연층；통과대SiGe외연층고분변정격상적부립협분석득출,900℃하진행고상외연능구유효억제SiGe외연층중점결함적생성；이차이용해기술외연생장적SiGe층완전이예.
