南京理工大学学报（自然科学版）
南京理工大學學報（自然科學版）
남경리공대학학보（자연과학판）
JOURNAL OF NANJING UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
2011年
6期
801-804,852
,共5页
卜雄洙%赵文%于葛亮%李云龙
蔔雄洙%趙文%于葛亮%李雲龍
복웅수%조문%우갈량%리운룡
巨磁阻抗%弱磁%传感器%负反馈%线性度指标%漂移%截止频率
巨磁阻抗%弱磁%傳感器%負反饋%線性度指標%漂移%截止頻率
거자조항%약자%전감기%부반궤%선성도지표%표이%절지빈솔
为提高基于巨磁阻抗(GMI)效应的弱磁传感器的性能,该文研究了Fe基非晶带在纵向激励下的GMI特性.建立和分析了传感器反馈模型,设计了反馈式GMI弱磁传感器.由CMOS集成反相器组成脉冲激励电路,由峰值检波电路、低通滤波电路、差分放大电路及电压跟随器组成信号调理电路,由仪用放大器、低通滤波电路、电阻和电感组成负反馈电路.利用亥姆霍兹线圈和标准恒流电源组成标定系统,对该传感器进行了加反馈和不加反馈两种情况下的对比测试.实验结果表明:在外加磁场强度为-2.5～2.5Oe范围内,该反馈式GMI弱磁传感器较无反馈的GMI弱磁传感器的线性度指标提高了41％；传感器输出的漂移在不加反馈时为10～20 mV/h,加入负反馈后在无外加磁场时为2 mV/h,在外加磁场强度为2.5Oe时为3 mV/h；传感器的截止频率在未加反馈时约为2 kHz,加入负反馈后提高到了4 kHz以上.
為提高基于巨磁阻抗(GMI)效應的弱磁傳感器的性能,該文研究瞭Fe基非晶帶在縱嚮激勵下的GMI特性.建立和分析瞭傳感器反饋模型,設計瞭反饋式GMI弱磁傳感器.由CMOS集成反相器組成脈遲激勵電路,由峰值檢波電路、低通濾波電路、差分放大電路及電壓跟隨器組成信號調理電路,由儀用放大器、低通濾波電路、電阻和電感組成負反饋電路.利用亥姆霍玆線圈和標準恆流電源組成標定繫統,對該傳感器進行瞭加反饋和不加反饋兩種情況下的對比測試.實驗結果錶明:在外加磁場彊度為-2.5～2.5Oe範圍內,該反饋式GMI弱磁傳感器較無反饋的GMI弱磁傳感器的線性度指標提高瞭41％；傳感器輸齣的漂移在不加反饋時為10～20 mV/h,加入負反饋後在無外加磁場時為2 mV/h,在外加磁場彊度為2.5Oe時為3 mV/h；傳感器的截止頻率在未加反饋時約為2 kHz,加入負反饋後提高到瞭4 kHz以上.
위제고기우거자조항(GMI)효응적약자전감기적성능,해문연구료Fe기비정대재종향격려하적GMI특성.건립화분석료전감기반궤모형,설계료반궤식GMI약자전감기.유CMOS집성반상기조성맥충격려전로,유봉치검파전로、저통려파전로、차분방대전로급전압근수기조성신호조리전로,유의용방대기、저통려파전로、전조화전감조성부반궤전로.이용해모곽자선권화표준항류전원조성표정계통,대해전감기진행료가반궤화불가반궤량충정황하적대비측시.실험결과표명:재외가자장강도위-2.5～2.5Oe범위내,해반궤식GMI약자전감기교무반궤적GMI약자전감기적선성도지표제고료41％；전감기수출적표이재불가반궤시위10～20 mV/h,가입부반궤후재무외가자장시위2 mV/h,재외가자장강도위2.5Oe시위3 mV/h；전감기적절지빈솔재미가반궤시약위2 kHz,가입부반궤후제고도료4 kHz이상.
