核电子学与探测技术
覈電子學與探測技術
핵전자학여탐측기술
NUCLEAR ELECTRONICS & DETECTION TECHNOLOGY
2012年
6期
698-700,731
,共4页
郭帆%王海洋%何小平%周竞之
郭帆%王海洋%何小平%週競之
곽범%왕해양%하소평%주경지
晶闸管%门极触发电流%强触发方式%功率MOSFET
晶閘管%門極觸髮電流%彊觸髮方式%功率MOSFET
정갑관%문겁촉발전류%강촉발방식%공솔MOSFET
为了研究晶闸管在强触发下的导通特性,利用功率MOSFET的快开通特性和通流能力,设计了光纤控制晶闸管强触发电路.该电路中晶闸管门极触发电流峰值范围为0.35～39.6 A,前沿范围为35～540ns,电流上升率范围为3.4～83.3 A/μs.实验结果表明,该电路参数调节范围宽,触发电流抖动小(小于4ns),具有较高的稳定性和可靠性.
為瞭研究晶閘管在彊觸髮下的導通特性,利用功率MOSFET的快開通特性和通流能力,設計瞭光纖控製晶閘管彊觸髮電路.該電路中晶閘管門極觸髮電流峰值範圍為0.35～39.6 A,前沿範圍為35～540ns,電流上升率範圍為3.4～83.3 A/μs.實驗結果錶明,該電路參數調節範圍寬,觸髮電流抖動小(小于4ns),具有較高的穩定性和可靠性.
위료연구정갑관재강촉발하적도통특성,이용공솔MOSFET적쾌개통특성화통류능력,설계료광섬공제정갑관강촉발전로.해전로중정갑관문겁촉발전류봉치범위위0.35～39.6 A,전연범위위35～540ns,전류상승솔범위위3.4～83.3 A/μs.실험결과표명,해전로삼수조절범위관,촉발전류두동소(소우4ns),구유교고적은정성화가고성.
