固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2005年
2期
225-230
,共6页
跨导放大器%增益提高%尾电流复制
跨導放大器%增益提高%尾電流複製
과도방대기%증익제고%미전류복제
设计了一种适合于带通Sigma Delta调制器的低电压低功耗全差分跨导放大器.在采用增益提高技术和尾电流复制技术的基础上,对电路参数进行优化,使运放获得了较高的性能.采用0.35 μm CMOS工艺,模拟结果表明,环路带宽为278 MHz,直流增益大于80 dB,输入阶跃为4 V时,在0.1%的精度下建立时间为9.1 ns,动态范围达到83.2 dB,电源电压为2 V,总的功耗为4.2 mW.
設計瞭一種適閤于帶通Sigma Delta調製器的低電壓低功耗全差分跨導放大器.在採用增益提高技術和尾電流複製技術的基礎上,對電路參數進行優化,使運放穫得瞭較高的性能.採用0.35 μm CMOS工藝,模擬結果錶明,環路帶寬為278 MHz,直流增益大于80 dB,輸入階躍為4 V時,在0.1%的精度下建立時間為9.1 ns,動態範圍達到83.2 dB,電源電壓為2 V,總的功耗為4.2 mW.
설계료일충괄합우대통Sigma Delta조제기적저전압저공모전차분과도방대기.재채용증익제고기술화미전류복제기술적기출상,대전로삼수진행우화,사운방획득료교고적성능.채용0.35 μm CMOS공예,모의결과표명,배로대관위278 MHz,직류증익대우80 dB,수입계약위4 V시,재0.1%적정도하건립시간위9.1 ns,동태범위체도83.2 dB,전원전압위2 V,총적공모위4.2 mW.
