兵工学报
兵工學報
병공학보
ACTA ARMAMENTARII
2005年
2期
278-281
,共4页
张新%高勇%刘善喜%安涛%徐春叶
張新%高勇%劉善喜%安濤%徐春葉
장신%고용%류선희%안도%서춘협
半导体技术%激光测距电路%全耗尽SOI结构%LDD结构%源漏Ti硅化物%高速低功耗
半導體技術%激光測距電路%全耗儘SOI結構%LDD結構%源漏Ti硅化物%高速低功耗
반도체기술%격광측거전로%전모진SOI결구%LDD결구%원루Ti규화물%고속저공모
在对薄膜全耗尽绝缘硅互补型金属氧化物半导体(SOICMOS)结构进行模拟和测试基础上,采用薄膜全耗尽绝缘硅(SOI)结构,并在工艺中利用优质栅氧化、Ti硅化物、轻掺杂漏(LDD)结构等关键技术实现了一种高速低功耗SOI CMOS激光测距集成电路.测试结果表明: 1.2 μm器件101级环振单门延迟为252 ps,总延迟为54.2 ns.电路静态功耗约为3 mW,动态功耗为15 mW.
在對薄膜全耗儘絕緣硅互補型金屬氧化物半導體(SOICMOS)結構進行模擬和測試基礎上,採用薄膜全耗儘絕緣硅(SOI)結構,併在工藝中利用優質柵氧化、Ti硅化物、輕摻雜漏(LDD)結構等關鍵技術實現瞭一種高速低功耗SOI CMOS激光測距集成電路.測試結果錶明: 1.2 μm器件101級環振單門延遲為252 ps,總延遲為54.2 ns.電路靜態功耗約為3 mW,動態功耗為15 mW.
재대박막전모진절연규호보형금속양화물반도체(SOICMOS)결구진행모의화측시기출상,채용박막전모진절연규(SOI)결구,병재공예중이용우질책양화、Ti규화물、경참잡루(LDD)결구등관건기술실현료일충고속저공모SOI CMOS격광측거집성전로.측시결과표명: 1.2 μm기건101급배진단문연지위252 ps,총연지위54.2 ns.전로정태공모약위3 mW,동태공모위15 mW.
