固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2005年
3期
344-348
,共5页
朱健%周百令%林金庭%郁元卫%陆乐
硃健%週百令%林金庭%鬱元衛%陸樂
주건%주백령%림금정%욱원위%륙악
微机电系统移相器%射频微机电系统开关%开关线
微機電繫統移相器%射頻微機電繫統開關%開關線
미궤전계통이상기%사빈미궤전계통개관%개관선
介绍了一种基于射频微机械串联开关设计的开关线型四位数字微机电系统(Micro-electromechanical Systems以下简称MEMS)移相器.该移相器集成了16个RF MEMS开关,使用了13组四分之一波长传输线和MIM接地耦合电容,有效地使开关的驱动信号和微波信号隔离,串联容性开关设计有效地降低了开关的启动电压.使用低温表面微机械工艺在360 μm厚的高阻硅衬底上制作移相器,芯片尺寸4.8 mm×7.8 mm.移相器样品在片测试结果表明,频点10.1 GHz,22.5°相移位的相移误差为±0.4°,插损2.8 dB;45°位的相移误差为±1.1°,插损2.0 dB;在X波段,对16个相移态的测试结果表明,移相器的插入损耗小于4.0 dB,驻波比小于2.4,开关驱动电压为17～20 V.
介紹瞭一種基于射頻微機械串聯開關設計的開關線型四位數字微機電繫統(Micro-electromechanical Systems以下簡稱MEMS)移相器.該移相器集成瞭16箇RF MEMS開關,使用瞭13組四分之一波長傳輸線和MIM接地耦閤電容,有效地使開關的驅動信號和微波信號隔離,串聯容性開關設計有效地降低瞭開關的啟動電壓.使用低溫錶麵微機械工藝在360 μm厚的高阻硅襯底上製作移相器,芯片呎吋4.8 mm×7.8 mm.移相器樣品在片測試結果錶明,頻點10.1 GHz,22.5°相移位的相移誤差為±0.4°,插損2.8 dB;45°位的相移誤差為±1.1°,插損2.0 dB;在X波段,對16箇相移態的測試結果錶明,移相器的插入損耗小于4.0 dB,駐波比小于2.4,開關驅動電壓為17～20 V.
개소료일충기우사빈미궤계천련개관설계적개관선형사위수자미궤전계통(Micro-electromechanical Systems이하간칭MEMS)이상기.해이상기집성료16개RF MEMS개관,사용료13조사분지일파장전수선화MIM접지우합전용,유효지사개관적구동신호화미파신호격리,천련용성개관설계유효지강저료개관적계동전압.사용저온표면미궤계공예재360 μm후적고조규츤저상제작이상기,심편척촌4.8 mm×7.8 mm.이상기양품재편측시결과표명,빈점10.1 GHz,22.5°상이위적상이오차위±0.4°,삽손2.8 dB;45°위적상이오차위±1.1°,삽손2.0 dB;재X파단,대16개상이태적측시결과표명,이상기적삽입손모소우4.0 dB,주파비소우2.4,개관구동전압위17～20 V.
