H2稀释在PECVD法制备微晶硅薄膜中的影响
H2희석재PECVD법제비미정규박막중적영향
Influence of H2 dilution on microcry stalline silicon thin film prepared by PECVD
  • 万方数据
    可再生能源 가재생능원
    RENEWABLE ENERGY
    2006年 4期 18-20 ,共3页

    王生钊%卢景霄%王红娟%刘萍%陈永生%张丽伟%杨仕娥%郜小勇

    왕생쇠%로경소%왕홍연%류평%진영생%장려위%양사아%고소용

    PECVD%氢稀释%微晶硅薄膜 PECVD%氫稀釋%微晶硅薄膜
    PECVD%경희석%미정규박막
    利用等离子增强化学气相沉积(PECVD)技术,研究了H稀释度D=H2/(H2+SiH4)对在玻璃和不锈钢衬底上低温制备微晶硅薄膜的晶化率、晶粒尺寸、薄膜质量等的影响.结果表明,随着硅烷浓度的降低,样品的晶化率、晶粒尺寸有所改变.当D=99%时,晶粒突然变大,晶化率显著提高.因此,我们认为此时的硅薄膜由非晶硅转化为微晶硅.
    이용등리자증강화학기상침적(PECVD)기술,연구료H희석도D=H2/(H2+SiH4)대재파리화불수강츤저상저온제비미정규박막적정화솔、정립척촌、박막질량등적영향.결과표명,수착규완농도적강저,양품적정화솔、정립척촌유소개변.당D=99%시,정립돌연변대,정화솔현저제고.인차,아문인위차시적규박막유비정규전화위미정규.
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