半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2007年
3期
420-424
,共5页
房振乾%胡明%张伟%张旭瑞%杨海波
房振乾%鬍明%張偉%張旭瑞%楊海波
방진건%호명%장위%장욱서%양해파
理论模型%介孔硅%微喇曼光谱%有效热导率%微传感器%微电子机械系统
理論模型%介孔硅%微喇曼光譜%有效熱導率%微傳感器%微電子機械繫統
이론모형%개공규%미나만광보%유효열도솔%미전감기%미전자궤계계통
提出了一个基于有效介质理论分析介孔硅层传热机理的理论模型,对影响介孔硅有效热导率的因素包括孔隙率、硅的恒容热容和硅的声子平均自由程进行了理论分析,得出用于计算介孔硅有效热导率的计算公式.采用双槽电化学腐蚀法制备孔隙率分别为62%和79%的介孔硅,微喇曼光谱技术测量所制备的介孔硅的热导率为8.315和0.949W/(m·K).SEM分析表明,孔隙率为62%和79%的介孔硅的平均特征尺寸分别为10nm和5nm.应用计算介孔硅有效热导率的公式,得到孔隙率为62%,平均特征尺寸为10nm和孔隙率为79%,平均特征尺寸为5nm的介孔硅层的有效热导率理论值为10.753和1.035W/(m·K).研究分析表明,理论计算与所获得的实验数据一致.介孔硅极低的热导率使其作为一种良好的热绝缘材料有望广泛应用于微传感器和微电子机械系统中.
提齣瞭一箇基于有效介質理論分析介孔硅層傳熱機理的理論模型,對影響介孔硅有效熱導率的因素包括孔隙率、硅的恆容熱容和硅的聲子平均自由程進行瞭理論分析,得齣用于計算介孔硅有效熱導率的計算公式.採用雙槽電化學腐蝕法製備孔隙率分彆為62%和79%的介孔硅,微喇曼光譜技術測量所製備的介孔硅的熱導率為8.315和0.949W/(m·K).SEM分析錶明,孔隙率為62%和79%的介孔硅的平均特徵呎吋分彆為10nm和5nm.應用計算介孔硅有效熱導率的公式,得到孔隙率為62%,平均特徵呎吋為10nm和孔隙率為79%,平均特徵呎吋為5nm的介孔硅層的有效熱導率理論值為10.753和1.035W/(m·K).研究分析錶明,理論計算與所穫得的實驗數據一緻.介孔硅極低的熱導率使其作為一種良好的熱絕緣材料有望廣汎應用于微傳感器和微電子機械繫統中.
제출료일개기우유효개질이론분석개공규층전열궤리적이론모형,대영향개공규유효열도솔적인소포괄공극솔、규적항용열용화규적성자평균자유정진행료이론분석,득출용우계산개공규유효열도솔적계산공식.채용쌍조전화학부식법제비공극솔분별위62%화79%적개공규,미나만광보기술측량소제비적개공규적열도솔위8.315화0.949W/(m·K).SEM분석표명,공극솔위62%화79%적개공규적평균특정척촌분별위10nm화5nm.응용계산개공규유효열도솔적공식,득도공극솔위62%,평균특정척촌위10nm화공극솔위79%,평균특정척촌위5nm적개공규층적유효열도솔이론치위10.753화1.035W/(m·K).연구분석표명,이론계산여소획득적실험수거일치.개공규겁저적열도솔사기작위일충량호적열절연재료유망엄범응용우미전감기화미전자궤계계통중.