微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2011年
1期
107-110,119
,共5页
章凌宇%贾宇明%李磊%胡明浩
章凌宇%賈宇明%李磊%鬍明浩
장릉우%가우명%리뢰%호명호
SRAM%辐射加固%双互锁存储单元%存储器
SRAM%輻射加固%雙互鎖存儲單元%存儲器
SRAM%복사가고%쌍호쇄존저단원%존저기
空间应用的SRAM必须具备抗辐射加固能力.介绍了SRAM工作原理与双互锁存储单元(DICE)技术,给出了基于DICE结构的SRAM存储单元的电路设计、版图设计及其功能仿真.在SMIC 0.13μm工艺下,应用HSPICE进行单粒子效应模拟,与传统6T CMOS SRAM相比,基于DICE结构的SRAM在相同工艺条件下抗辐照能力有显著的提高.
空間應用的SRAM必鬚具備抗輻射加固能力.介紹瞭SRAM工作原理與雙互鎖存儲單元(DICE)技術,給齣瞭基于DICE結構的SRAM存儲單元的電路設計、版圖設計及其功能倣真.在SMIC 0.13μm工藝下,應用HSPICE進行單粒子效應模擬,與傳統6T CMOS SRAM相比,基于DICE結構的SRAM在相同工藝條件下抗輻照能力有顯著的提高.
공간응용적SRAM필수구비항복사가고능력.개소료SRAM공작원리여쌍호쇄존저단원(DICE)기술,급출료기우DICE결구적SRAM존저단원적전로설계、판도설계급기공능방진.재SMIC 0.13μm공예하,응용HSPICE진행단입자효응모의,여전통6T CMOS SRAM상비,기우DICE결구적SRAM재상동공예조건하항복조능력유현저적제고.
