发光学报
髮光學報
발광학보
CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
2010年
2期
258-260
,共3页
化学气相沉积%ZnO纳米线阵列%低温生长
化學氣相沉積%ZnO納米線陣列%低溫生長
화학기상침적%ZnO납미선진렬%저온생장
采用化学气相沉积(CVD)法在镀Cr(20 nm)的玻璃衬底上,低温制备了ZnO纳米线阵列.利用扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射(XRD)对样品的表面形貌和微结构进行了分析表征.结果表明:源分解温度1 350 ℃,衬底温度450～500 ℃,氩气流量为35 sccm时,ZnO纳米线在玻璃衬底上呈现有序生长;XRD谱图中只观测到ZnO(002)衍射峰.表明制备的纳米线阵列具有高度c轴择优取向生长特性和较高的结晶质量.
採用化學氣相沉積(CVD)法在鍍Cr(20 nm)的玻璃襯底上,低溫製備瞭ZnO納米線陣列.利用掃描電子顯微鏡(SEM)和X射線衍射(XRD)對樣品的錶麵形貌和微結構進行瞭分析錶徵.結果錶明:源分解溫度1 350 ℃,襯底溫度450～500 ℃,氬氣流量為35 sccm時,ZnO納米線在玻璃襯底上呈現有序生長;XRD譜圖中隻觀測到ZnO(002)衍射峰.錶明製備的納米線陣列具有高度c軸擇優取嚮生長特性和較高的結晶質量.
채용화학기상침적(CVD)법재도Cr(20 nm)적파리츤저상,저온제비료ZnO납미선진렬.이용소묘전자현미경(SEM)화X사선연사(XRD)대양품적표면형모화미결구진행료분석표정.결과표명:원분해온도1 350 ℃,츤저온도450～500 ℃,아기류량위35 sccm시,ZnO납미선재파리츤저상정현유서생장;XRD보도중지관측도ZnO(002)연사봉.표명제비적납미선진렬구유고도c축택우취향생장특성화교고적결정질량.
