半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2005年
4期
756-759
,共4页
刘文超%夏冠群%李冰寒%黄文奎
劉文超%夏冠群%李冰寒%黃文奎
류문초%하관군%리빙한%황문규
AlGaInP/GaAs%双异质结双极晶体管%Mo/W/Ti/Au%直流特性
AlGaInP/GaAs%雙異質結雙極晶體管%Mo/W/Ti/Au%直流特性
AlGaInP/GaAs%쌍이질결쌍겁정체관%Mo/W/Ti/Au%직류특성
利用Mo/W/Ti/Au难熔金属作为发射极欧姆接触设计并制作了一种用于功率放大器的新结构AlGaInP/GaAs双异质结双极晶体管(DHBT),分析了与传统AuGeNi作为接触电极的AlGaInP/GaAs DHBT的直流特性差异.研究结果表明,利用难熔金属作为欧姆接触电极的DHBT器件具有较好的高温特性,并进一步分析了其具有良好高温特性的机理.
利用Mo/W/Ti/Au難鎔金屬作為髮射極歐姆接觸設計併製作瞭一種用于功率放大器的新結構AlGaInP/GaAs雙異質結雙極晶體管(DHBT),分析瞭與傳統AuGeNi作為接觸電極的AlGaInP/GaAs DHBT的直流特性差異.研究結果錶明,利用難鎔金屬作為歐姆接觸電極的DHBT器件具有較好的高溫特性,併進一步分析瞭其具有良好高溫特性的機理.
이용Mo/W/Ti/Au난용금속작위발사겁구모접촉설계병제작료일충용우공솔방대기적신결구AlGaInP/GaAs쌍이질결쌍겁정체관(DHBT),분석료여전통AuGeNi작위접촉전겁적AlGaInP/GaAs DHBT적직류특성차이.연구결과표명,이용난용금속작위구모접촉전겁적DHBT기건구유교호적고온특성,병진일보분석료기구유량호고온특성적궤리.
