SiC单晶生长及其晶片加工技术的进展
SiC단정생장급기정편가공기술적진전
Recent Progress in SiC Monocrystal Growth and Wafer Machining
  • 万方数据
    半导体学报 반도체학보
    CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
    2007年 5期 810-814 ,共5页

    姜守振%徐现刚%李娟%陈秀芳%王英民%宁丽娜%胡小波%王继杨%蒋民华

    강수진%서현강%리연%진수방%왕영민%저려나%호소파%왕계양%장민화

    升华法%SiC%模拟%温场%金刚石线切割%化学机械抛光 升華法%SiC%模擬%溫場%金剛石線切割%化學機械拋光
    승화법%SiC%모의%온장%금강석선절할%화학궤계포광
    回顾了SiC单晶的发展历史,总结了目前的发展状况,同时介绍了SiC单晶生长所需要的温场和生长工艺,最后介绍了SiC单晶的加工技术.通过模拟计算与具体实验相结合的方法,调整坩埚在系统中的位置及优化坩埚设计可以得到理想温场.近平微凸的温场有利于晶体小面的扩展,进而有利于减少缺陷提高晶体的质量.由于SiC硬度非常高,对单晶后续的加工造成很多困难,包括切割和磨抛.研究发现利用金刚石线锯切割大尺寸SiC晶体,可以得到低翘曲度、低表面粗糙度的晶片;采用化学机械抛光法,可以有效地去除SiC表面的划痕和研磨引入的加工变质层,加工后的SiC晶片粗糙度可小于1nm.
    회고료SiC단정적발전역사,총결료목전적발전상황,동시개소료SiC단정생장소수요적온장화생장공예,최후개소료SiC단정적가공기술.통과모의계산여구체실험상결합적방법,조정감과재계통중적위치급우화감과설계가이득도이상온장.근평미철적온장유리우정체소면적확전,진이유리우감소결함제고정체적질량.유우SiC경도비상고,대단정후속적가공조성흔다곤난,포괄절할화마포.연구발현이용금강석선거절할대척촌SiC정체,가이득도저교곡도、저표면조조도적정편;채용화학궤계포광법,가이유효지거제SiC표면적화흔화연마인입적가공변질층,가공후적SiC정편조조도가소우1nm.
    원문보기 원문다운로드 사이트로이동
저자의 최근 논문