光电子技术
光電子技術
광전자기술
OPTOELECTRONIC TECHNOLOGY
2010年
2期
84-87
,共4页
丝网印刷%场发射%碳纳米管阴极%表面处理
絲網印刷%場髮射%碳納米管陰極%錶麵處理
사망인쇄%장발사%탄납미관음겁%표면처리
针对丝网印刷碳纳米管阴极,提出电流法进行表面后处理,有效改善碳纳米管阴极场发射特性.利用扫描电子显微镜表征电流法处理前后CNTs阴极表面形貌变化,并对处理前后CNTs阴极进行场发射特性测试.结果表明,电流法处理后CNTs阴极表面残留有机物被破坏,开启电场从2.4 V/μm降低到1.6 V/μm,同样面积的薄膜(印制面积为1 cm×1 cm)在2.6 V/μm场强下的发射电流由30 μA提高到了800 μA,说明电流处理对于提高薄膜的场发射特性有明显作用.该方法在碳纳米管场发射显示器的制作中具有很好的实际应用价值.
針對絲網印刷碳納米管陰極,提齣電流法進行錶麵後處理,有效改善碳納米管陰極場髮射特性.利用掃描電子顯微鏡錶徵電流法處理前後CNTs陰極錶麵形貌變化,併對處理前後CNTs陰極進行場髮射特性測試.結果錶明,電流法處理後CNTs陰極錶麵殘留有機物被破壞,開啟電場從2.4 V/μm降低到1.6 V/μm,同樣麵積的薄膜(印製麵積為1 cm×1 cm)在2.6 V/μm場彊下的髮射電流由30 μA提高到瞭800 μA,說明電流處理對于提高薄膜的場髮射特性有明顯作用.該方法在碳納米管場髮射顯示器的製作中具有很好的實際應用價值.
침대사망인쇄탄납미관음겁,제출전류법진행표면후처리,유효개선탄납미관음겁장발사특성.이용소묘전자현미경표정전류법처리전후CNTs음겁표면형모변화,병대처리전후CNTs음겁진행장발사특성측시.결과표명,전류법처리후CNTs음겁표면잔류유궤물피파배,개계전장종2.4 V/μm강저도1.6 V/μm,동양면적적박막(인제면적위1 cm×1 cm)재2.6 V/μm장강하적발사전류유30 μA제고도료800 μA,설명전류처리대우제고박막적장발사특성유명현작용.해방법재탄납미관장발사현시기적제작중구유흔호적실제응용개치.
