半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2011年
7期
520-523
,共4页
GaAs MMIC%工艺监测%薄层电阻%十字桥%统计过程控制
GaAs MMIC%工藝鑑測%薄層電阻%十字橋%統計過程控製
GaAs MMIC%공예감측%박층전조%십자교%통계과정공제
介绍了GaAs MMIC (GaAs microwave monolithic integrated circuit)工艺运用监测技术控制工艺过程,实时掌握工艺状况,保证产品的一致性、可重复性和可靠性.针对薄层电阻和接触电阻的阻值以及器件的栅阻和栅长等工艺过程中关键的参数,分别用范德堡结构、开尔文结构和十字桥结构进行监测.采用范德堡结构测得薄层电阻Rδ=(π/ln 2 )V14/I23,开尔文结构得到接触电阻Rc =V/13/I24,十字桥结构可以了解栅阻和栅长.然后通过运用统计过程控制技术对数据进行分析,可以有效改进工艺,提高产品质量.
介紹瞭GaAs MMIC (GaAs microwave monolithic integrated circuit)工藝運用鑑測技術控製工藝過程,實時掌握工藝狀況,保證產品的一緻性、可重複性和可靠性.針對薄層電阻和接觸電阻的阻值以及器件的柵阻和柵長等工藝過程中關鍵的參數,分彆用範德堡結構、開爾文結構和十字橋結構進行鑑測.採用範德堡結構測得薄層電阻Rδ=(π/ln 2 )V14/I23,開爾文結構得到接觸電阻Rc =V/13/I24,十字橋結構可以瞭解柵阻和柵長.然後通過運用統計過程控製技術對數據進行分析,可以有效改進工藝,提高產品質量.
개소료GaAs MMIC (GaAs microwave monolithic integrated circuit)공예운용감측기술공제공예과정,실시장악공예상황,보증산품적일치성、가중복성화가고성.침대박층전조화접촉전조적조치이급기건적책조화책장등공예과정중관건적삼수,분별용범덕보결구、개이문결구화십자교결구진행감측.채용범덕보결구측득박층전조Rδ=(π/ln 2 )V14/I23,개이문결구득도접촉전조Rc =V/13/I24,십자교결구가이료해책조화책장.연후통과운용통계과정공제기술대수거진행분석,가이유효개진공예,제고산품질량.
