微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2011年
3期
451-455,473
,共6页
SRAM%存储单元%软错误%α粒子%临界电荷
SRAM%存儲單元%軟錯誤%α粒子%臨界電荷
SRAM%존저단원%연착오%α입자%림계전하
针对目前SRAM存储单元所面临的α粒子注入引起的软错误问题,首先采用一个简化的反相器模型,模拟其在α粒子注入时的输出变化;然后将该输出用作SRAM存储单元电路仿真的输入信号,研究α粒子注入对存储单元双稳电路稳定性的影响,其中,α粒子的注入通过一个电流源来模拟;最后,比较两种电流源模型下存储单元的存储情况.可以看出,PMOS等效电阻越大或节点电容越小,α粒子的注入越容易导致存储单元软错误的发生.也就是说,临界电荷越小,发生软错误的可能性越大.
針對目前SRAM存儲單元所麵臨的α粒子註入引起的軟錯誤問題,首先採用一箇簡化的反相器模型,模擬其在α粒子註入時的輸齣變化;然後將該輸齣用作SRAM存儲單元電路倣真的輸入信號,研究α粒子註入對存儲單元雙穩電路穩定性的影響,其中,α粒子的註入通過一箇電流源來模擬;最後,比較兩種電流源模型下存儲單元的存儲情況.可以看齣,PMOS等效電阻越大或節點電容越小,α粒子的註入越容易導緻存儲單元軟錯誤的髮生.也就是說,臨界電荷越小,髮生軟錯誤的可能性越大.
침대목전SRAM존저단원소면림적α입자주입인기적연착오문제,수선채용일개간화적반상기모형,모의기재α입자주입시적수출변화;연후장해수출용작SRAM존저단원전로방진적수입신호,연구α입자주입대존저단원쌍은전로은정성적영향,기중,α입자적주입통과일개전류원래모의;최후,비교량충전류원모형하존저단원적존저정황.가이간출,PMOS등효전조월대혹절점전용월소,α입자적주입월용역도치존저단원연착오적발생.야취시설,림계전하월소,발생연착오적가능성월대.
