人工晶体学报
人工晶體學報
인공정체학보
2011年
4期
1006-1010
,共5页
雷哲锋%王发展%赵超%陈霞%王博
雷哲鋒%王髮展%趙超%陳霞%王博
뢰철봉%왕발전%조초%진하%왕박
ZnO纳米管%第一性原理%电子结构
ZnO納米管%第一性原理%電子結構
ZnO납미관%제일성원리%전자결구
采用基于密度泛函理论(Density functional theory)的计算方法,研究了n--4,6,9的锯齿型(n,0)ZnO单壁纳米管的电子结构,结果表明:锯齿型ZnO单壁纳米管是一种直接宽禁带半导体,其能隙随着横截面的增大而小量增大,并分析了锯齿型单壁纳米管的核外电子分布.
採用基于密度汎函理論(Density functional theory)的計算方法,研究瞭n--4,6,9的鋸齒型(n,0)ZnO單壁納米管的電子結構,結果錶明:鋸齒型ZnO單壁納米管是一種直接寬禁帶半導體,其能隙隨著橫截麵的增大而小量增大,併分析瞭鋸齒型單壁納米管的覈外電子分佈.
채용기우밀도범함이론(Density functional theory)적계산방법,연구료n--4,6,9적거치형(n,0)ZnO단벽납미관적전자결구,결과표명:거치형ZnO단벽납미관시일충직접관금대반도체,기능극수착횡절면적증대이소량증대,병분석료거치형단벽납미관적핵외전자분포.
