固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2012年
3期
203-210,214
,共9页
氮化镓异质结场效应晶体管%沟道中的强场峰%背势垒%电流崩塌%场板电极%短沟道效应%源-漏穿通
氮化鎵異質結場效應晶體管%溝道中的彊場峰%揹勢壘%電流崩塌%場闆電極%短溝道效應%源-漏穿通
담화가이질결장효응정체관%구도중적강장봉%배세루%전류붕탑%장판전겁%단구도효응%원-루천통
研究了背势垒、场板电极、电流崩塌、短沟道效应及源-漏穿通等GaN HFET的热点课题及其关联.高漏压下沟道阱中的强场峰和背势垒的相互作用是决定上述热点课题的关键.介绍、分析了目前国外用Silvaco有限元经典模拟软件计算的结果,发现这些理论计算的能带都向缓冲层末端倾斜,电子从沟道阱转移到缓冲层末端,不能用来研究上述课题和进行器件优化设计.提出了新的量子模拟理念,用沟道阱的量子限制解开了上述难题.量子模拟结果解释了上述课题的实验结果及其关联,有望从沟道强场峰和背势垒的相互作用研究中优化设计出高漏压工作的大功率、高效GaN HFET.
研究瞭揹勢壘、場闆電極、電流崩塌、短溝道效應及源-漏穿通等GaN HFET的熱點課題及其關聯.高漏壓下溝道阱中的彊場峰和揹勢壘的相互作用是決定上述熱點課題的關鍵.介紹、分析瞭目前國外用Silvaco有限元經典模擬軟件計算的結果,髮現這些理論計算的能帶都嚮緩遲層末耑傾斜,電子從溝道阱轉移到緩遲層末耑,不能用來研究上述課題和進行器件優化設計.提齣瞭新的量子模擬理唸,用溝道阱的量子限製解開瞭上述難題.量子模擬結果解釋瞭上述課題的實驗結果及其關聯,有望從溝道彊場峰和揹勢壘的相互作用研究中優化設計齣高漏壓工作的大功率、高效GaN HFET.
연구료배세루、장판전겁、전류붕탑、단구도효응급원-루천통등GaN HFET적열점과제급기관련.고루압하구도정중적강장봉화배세루적상호작용시결정상술열점과제적관건.개소、분석료목전국외용Silvaco유한원경전모의연건계산적결과,발현저사이론계산적능대도향완충층말단경사,전자종구도정전이도완충층말단,불능용래연구상술과제화진행기건우화설계.제출료신적양자모의이념,용구도정적양자한제해개료상술난제.양자모의결과해석료상술과제적실험결과급기관련,유망종구도강장봉화배세루적상호작용연구중우화설계출고루압공작적대공솔、고효GaN HFET.
