r面白宝石单晶的温梯法生长及缺陷研究
r면백보석단정적온제법생장급결함연구
Defect Study of r-plane Sapphire Single Crystal Grown by Temperature Gradient Technique
  • 万方数据
    人工晶体学报 인공정체학보

    2005年 4期 653-656 ,共4页

    彭观良%周国清%庄漪%邹军%王银珍%李抒智%杨卫桥%周圣明%徐军

    팽관량%주국청%장의%추군%왕은진%리서지%양위교%주골명%서군

    温梯法%r面白宝石%位错%化学腐蚀%腐蚀坑%缺陷 溫梯法%r麵白寶石%位錯%化學腐蝕%腐蝕坑%缺陷
    온제법%r면백보석%위착%화학부식%부식갱%결함
    本文描述使用温梯法(TGT)生长(1102)方向的白宝石单晶,应用X射线双晶摇摆曲线(XRC)测定了晶体内部的完整性,再利用KOH熔体腐蚀出样品的r面(1102)上的位错蚀坑,借助扫描电子显微镜(SEM)进行观察,发现r面白宝石的位错腐蚀坑呈等腰三角形,并且有台阶状结构,并分析了位错的成因.
    본문묘술사용온제법(TGT)생장(1102)방향적백보석단정,응용X사선쌍정요파곡선(XRC)측정료정체내부적완정성,재이용KOH용체부식출양품적r면(1102)상적위착식갱,차조소묘전자현미경(SEM)진행관찰,발현r면백보석적위착부식갱정등요삼각형,병차유태계상결구,병분석료위착적성인.
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